Напруга живлення (однополярної) ........................ Епіт = 5 В
Струм, споживаний від джерела живлення .................. Iп = 14 мА
Швидкість наростання вихідної напруги ............ Vu = 5500 В/мкс
Час встановлення ............................................. tуст = 10 нс
Струм короткого замикання ...................................... Iкз = 330 мА
Для побудови каскадів використовуємо неінвертірующім схему включення ОУ
В
Т.к. каскади мають однакові коефіцієнти посилення, то 2-й і 3-й каскади зробимо ідентичними, а в 1-му введемо підстроювання. Коефіцієнт посилення такого каскаду визначається за формулою:
.
Задамося опором R1 = 10 кОм, тоді
.
Номінальна R3 = 160 кОм.
Опір R2 визначається за формулою:
Ом.
Номінальна R2 = 10 кОм.
Вхідний опір каскаду буде визначатися опором резистора R2 = 10 кОм = Rвх. У технічній документації на цю мікросхему розглянуті параметри і характеристики роботи підсилювача на навантаження 100 Ом. Таким чином, опір навантаження, рівне вхідному опору наступного каскаду, порядку 10 кому не зробить згубної дії на мікросхему, тобто вона чи не згорить.
Розділова ємність ставиться перед кожним каскадом, але на виході не ставиться.
пФ.
Номінальна Ср = 6.8 пФ.
Розрахуємо підстроювання підсилювача. Для цього в ланцюг зворотного зв'язку 1-го каскаду поставимо підлаштування резистор. p> Нехай - максимальний коефіцієнт посилення підсилювача,
- мінімальний коефіцієнт.
Тоді
,
.
кОм,
кОм.
Номінальна R3пост = 91 кОм.
кОм
Номінальна R3подстр = 75 кОм.
Таким чином, в ланцюг ОС слід поставити постійний резистор R3пост = 91 кОм і підлаштування резистор R3подстр = 75 кОм.
Результат розрахунку зображений на рис. <В
Визначення розмірів друкованої плати
На мій погляд, найбільш оптимальним і вигідним буде виготовлення нашого імпульсного підсилювача на інтегральній мікросхемі. На боці цього варіанту значно більше переваг. Перелічимо основні:
В· немає необхідності виготовляти індуктори, номінальний ряд яких дуже вузький, і практично неможливо знайти серійно випускаються індуктивності потрібного номіналу;
В· габарити і вага друкованої плати на ІМС істотно менше плати транзисторного варіанта;
В· найменшу кількість елементів;
Плату виготовимо з склотекстоліти фольгованого СФ1-35-1.0 методом хімічного травлення. Даний метод дозволяє отримати ширину провідника щонайменше 0.18мм. Оскільки електрична ...
