истор - це напівпровідниковий прилад, підсилювальні властивості якого обумовлені потоком основних носіїв, що протікає через провідний канал і керований електричним полем.
6.1 МДП польові транзистори
6.1.1 Передавальна характеристика транзистора з індукованим p-каналом
Рис. 56. Схема моделювання передавальної характеристики польового МДП транзистора з індукованим p-каналом
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 0 7 0.01
. STEP V_V2 LIST 0 3 10 травня
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 57. Графік передавальної характеристики польового МДП транзистора з індукованим p-каналом
З графіка видно, що граничне напруга даного польового транзистора складає 2.4 В.
.1.2 Передатна характеристика транзистора з вбудованим p-каналом
Рис. 58. Схема моделювання передавальної характеристики польового МДП транзистора з вбудованим p-каналом
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 0 - 5 - 0.001
. STEP V_V2 LIST 10 Травня
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 59. Передатна характеристика польового МДП транзистора з вбудованим p-каналом
З малюнка видно, що для даного транзистора напруга відсічення каналу становить - 1.5 В.
.1.3 Вихідна характеристика транзистора з індукованим p-каналом
Рис. 60. Схема моделювання польового вихідний ВАХ p-канального МДП транзистора
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V2 0.01 100 0.01
. STEP V_V1 LIST 0 5 6 7 8 9
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 61. Графік вихідний ВАХ МДП польового транзистора M2N6806
.1.4 Температурна залежність передавальних характеристик МДП транзистора з p і n каналами
Рис. 62. Схема моделювання температурних залежностей передавальних характеристик МДП польових транзисторів з n і p каналами
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 - 4 7 0.001
. TEMP - 60125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 63. Графік температурних залежностей передавальних характеристик МДП польових транзисторів з n і p каналами
З ростом температури падає рухливість носіїв зарядів через збільшення теплових коливань решітки, а їх концентрація із зростанням температури збільшується.
6.2 Польові транзистори з pn переходом в якості зат...
