ити годину розсмоктування носіїв у базі силових транзісторів, як діоді VD10 ... VD13 вікорістовуємо вісокочастотні діоді типом КД212А з параметрами:
допустимих середній струм=1 А;
припустима зворотна напряжение=200 В;
імпульсній струм=50 А (при трівалості імпульсу до 10 мс);
допустима робоча частота 100 кГц.
Опір струмообмежуючіх резісторів R5 ... R8 в колах баз транзісторів інвертора
Ом
Беремо Ом
Потужність, что віділяється на резисторах R5 ... R8
Вт
Вібіраємо резистор типу С2-23-0,82 Ом.
Візначаємо максимальний струм колектора відкритого транзистора підсілювача в режімі насічення:
А,
де - ККД підсілювача; =0.8 ... 1.5 В - спад напруги на відкрітому транзісторі в режімі насічення;- Прямий спад напруги на відкрітому діоді VD3; беремо:; В; B.
Максимальна напряжение между емітером и колектором закритого транзистора VT1:
У
За здобутя значення, вібіраємо транзистор типу КТ630Б з параметрами:
допустимих струм колектора=1А;
припустима напряжение между колектором и емітером В;
статичність коефіцієнт передачі Струму бази=80 ... 240;
гранична частота підсілення в схемі Із загально емітером мГц;
максимально припустима Потужність розсіювання Вт
Прямий струм через діод VD3
A
Вібіраємо діод VD3 типу КД212А.
Візначаємо струм бази, необхідній для насічення транзистора підсілювача:
мА,
де - коефіцієнт насічення;- Мінімальній статичність коефіцієнт передачі Струму бази.
За вхідною характеристикою транзистора КТ630Б для Струму мА візначаємо напругу между емітером и базою насіченого транзистора В.
Опір R3 и R4 НАВАНТАЖЕННЯ логічніх елементів відповідно DD1.1 и DD1.2
Ом
Вібіраємо резистори R3 и R4 типом С2-23-0,47 кОм.
Візначаємо вихідний струм мікросхеми DD2 при логічному нулі на ее віході:
мА lt; ,
де В - напряжение вихідного сигналу 0 мікросхеми К155ЛА8; мА - допустима вихідний струм мікросхеми.
Втрати потужності на транзісторі в режімі насічення (з урахуванням Втратили у базовому колі).
Вт
Втрати потужності на транзісторі в режімі перемикань
Вт
де - стала годині транзистора, c; - коефіцієнт что поклади від схеми підсілювача и коефіцієнта насічення транзісторів. Для двотактного підсілювача з Нульовий цяткою значення вібіраємо залежних від значення. При:. Оскількі гранична частота підсілення транзистора, потужністю Втратили на перемикань можна знехтуваті.
Сумарні Втрати в транзісторі (потужністю Втратили у режімі відсічкі нехтуємо)
Вт
Переконуємось, що.
Візначаємо ємність конденсатора
мкФ
Вібіраємо конденсатор С3 типом К73-16 ємністю 0,15 мкФ з РОбочий напругою 63 В.
Максимальна зворотна напряжение и максимальний струм зворотніх діодів VD4 i VD5:
B
A
Вібіраємо діоді VD4 i VD5 типом Д223А з параметрами:
А
B
Вихідний трансформатор TV1 розраховуємо за методикою, наведення в [4]. Як материал осердям трансформатора вібіраємо сталь Е350 товщина 0,08 мм.
Габаритна Потужність трансформатора:
BA
Відповідно до рекомендацій для ВА, частоти Гц и вібраної марки Сталі беремо:
максимальне значення індукції в осерді Тл;
Густин Струму в обмотках А/мм2;
ККД трансформатора;
коефіцієнт Заповнення вікна міддю;
коефіцієнт Заповнення осердям Сталл.
Візначаємо добуток площади перерізу магнітопроводу на площу вікна осердям:
см4
Вібіраємо тороїдній магнітопровід ОЛ25/40-12,5, для которого
см4
см2
см2
Кількість вітків первинної обмотки трансформатора
віт
Кількість вітків обмотки керування
віт
Діюче значення Струму в первінній и вторинно обмотках:
A
A
Діаметрі проводу обмоток:
первинної
мм
вторінної
мм
Вібіраємо провід ПЕЛШО з діаметрамі 0,21 и 0,48 мм.
2.2 Розрахунок задаючого генератора
Вихідні дані для розрахунку:
частота проходження вихідних імпульсів Гц;
напряжение джерела живлення мікросхеми В.
Як мікросхема DD1 застосована мікросхема К155ЛА3.
Для уніфікації елементів вікорістовуємо симетрич...
