е, дозволяє ростити гетеропереходи необхідної різкості і структури досить складного профілю, включаючи надрешітки, квантові нитки і крапки.
Отримання одно- і нульмерние структур можливе шляхом виділення їх за допомогою літографії. Однак це вимагає застосування особливих методів літографії - нанолітографії, оскільки настільки малі структури важко приготувати за допомогою стандартних методів.
Значні успіхи були досягнуті у виготовленні квантових точок і квантових ниток з використанням ефектів самоорганізації впорядкованих наноструктур на напівпровідникових підкладках. Цей метод пред'являє специфічні вимоги до матеріалів гетеропари [1,3,8].
Висновок
У даній роботі проаналізовано особливості створення довгохвильових ВІЛ на підкладках GaAs і проведено порівняльне дослідження характеристик приладів з активними областями на основі КТ InAs/InGaAs і КЯ InGaAsN. Аналіз показує, що рівень електричних і внутрішніх оптичних втрат для структур другого типу значно вище, що пов'язано з неоптимальною конструкцією вертикального напівпровідникового мікрорезонатора. Тим не менш, завдяки високому оптичному посиленню активної області, ВІЛ на основі КЯ InGaAsN мають рекордну вихідну потужність для всіх ВІЛ на підкладках арсеніду галію ( gt; 1 мВт в безперервному режимі). Оптимізація конструкції повинна істотно поліпшити їх характеристики. Що стосується ВІЛ на основі КТ, для них доцільно використовувати Мікрорезонатори з РБО Al x O y /GaAs, які забезпечують мінімальний рівень внутрішніх оптичних втрат (0.04-0.05% на один прохід фотона), низькі порогові струми ( lt; 2 мА) і високу диференціальну ефективність (? 40%). Видається, що ВІЛ на основі КТ матимуть переваги при створенні приладів з малими (менше 1? 2 мкм) розмірами випромінюючої області через придушення латеральної дифузії носіїв.
Узагальнюючи результати дослідження та порівняння ВІЛ на основі КТ InAs/InGaAs і КЯ InGaAsN можна зробити наступні висновки:
високий рівень оптичного підсилення, що досягається в структурах на основі КЯ InGaAsN, дозволяє реалізувати ВІЛ на основі напівпровідникових мікрорезонаторів з відносно високими внутрішніми втратами;
для реалізації ВІЛ на основі масивів КТ доцільно використовувати резонатори з Al x O y -зеркаламі, які за своїми оптичним характеристикам, як правило, істотно перевершують резонатори з напівпровідниковими дзеркалами.
Список використаних джерел
1 Гуртів В.А. Оптоелектроніка та волоконна оптика: Навчальний посібник.- Петрозаводськ: Изд-во ПетрГУ, +2005.
Ніконоров Н.В. Матеріали і технології волоконної оптики: спеціальні оптичні волокна: Навчальний посібник/Н.В. Ніконоров, А.І. Сидоров. СПб .: СПбДУ ІТМО, 2009.
Скляров О.К. Сучасні ВОСП. Апаратура й елементи.- М .; Солон, +2001.
льодяники H.H. Гетероструктури з квантовими точками: одержання, властивості, лазери/HH Льодяників, В.М. Устинов, В.А. Щукін та ін. ФТП. 1998. - т.32.- №4.
Пчеляков О.П. Кремній-германієві наноструктури з квантовими точками: механізми утворення та електричні властивості/О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховітянов, A.B. Дворічанський. ФТП. 2000. - Т. 34.
Дворічанський A.B. Квантові точки в системі Ge/Si,/AB Дворічанський, А.І. Якимов Изв. ВУЗів. Матеріали електронної техніки. 1999. - №4.
7 Шик А.Я. Фізика низьковимірних систем/А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Риков. СПб .: Наука, +2001.
Гусєв А.І. Наноматеріали, наноструктури, нанотехнології. М .: Физматлит, 2005.
Оптика наноструктур/Под ред. А.В. Федорова. Спб .: Недра, +2005.
Воробйов Л.Є. Оптичні явища в напівпровідникових квантово-розмірних структурах/Л.Є. Воробйов, Л.Г. Голуб, С.Н. Данилов та ін. Спб .: Изд-во СПбГТУ, 2000.
Гайнутдінов І.С. Властивості і методи отримання інтерференційних покриттів для оптичного приладобудування/І.С. Гайнутдінов, Е.А. Несміливо, А.В. Михайлов, В.П. Іванов, Г.І. Абзалова. Казань: Фен, +2003.
Федоров А.В. Фізика і технологія гетероструктур, оптика квантових наноструктур: Навчальний посібник. Спб .: Изд-во ИТМО, 2009.
Щука А.А. Наноелектроніка. М.: Фізматкніга, 2007.
. Носов Ю.Р. Оптоелектроніка. М .: Радио и связь, 1989.
Ільїн В.І. Варізонних напівпровідники і гетероструктури. В.І. Ільїн, С.Ф. Мусихин, А.Я. Шик. Спб .: Наука, +2000.
Бонч-Бруєвич В.Л. Фізика напівпровідників, В.Л. Бонч-Бруєвич, С.Г. Калашников. Спб .: Изд-во ИТМО, 2000.
Кардон М. Основи фізики напівпровідників/Пер. з англ. І.І. Решіна. Под ред. Б.П. Захарчені. 3-е изд. М .: ФИЗМАТЛИТ, 2002.
Мілнс А. ге...
