ільніше, ніж зростання фонового струму, виникнення якого пов'язане з наявністю домішок та інших факторів. p align="justify"> У статті [9] проведені вимірювання залежності ВАХ від температури. В якості зразка використовувалася трехбарьерная РТС InGaAs/InAlAs, вирощена на підкладці InP (001) методом молекулярної променевої епітаксії (MBE). Товщина першої та другої InGaAs-квантових ям-6.8 та 5 нм відповідно, верхнього InAlAs-бар'єру-1, 9нм, середнього-3, 1 нм, нижнього-1, 9. В якості спейсерних верств виступали шари з InGaAs товщиною 5,6 нм, контактних шарів-n + InGaAs, допованих Si, n = 1 * 10 ^ 18 см-3. На рис.7 (а) показані вольт-амперні характеристики трехбарьерной структури InGaAs/InAlAs, розміром 3 * 6 мм2, отримані при кімнатній (300 К) і азотної (77 К) температурах. Експеримент показує, що спостерігається незначна залежність значення струму піку і долини від температури. Ток піку незначно зменшується при 77 К у порівнянні з 300К при V = 0,2 В. Так само ВАХ при 77К має більш широку спадну частину і більш високе значення напруги долини. <В
Рис. 7 (a) - ВАХ РТС InGaAs/InAlAs при кімнатній та азотної температурах
На рис 7 (б) наведена вольт-амперна характеристика трехбарьерной структури GaAs/AlAs, розміром 3 * 6 мм 2 при кімнатній (300К), азотної (77К) і гелієвої (4к) температурах.
В
Рис. 7 (b) - ВАХ РТС GaAs/AlAs при кімнатній, азотної і гелієвої температурах
У трехбарьерной структурі GaAs/AlAs спостерігається більш яскраво виражена залежність ВАХ від температури. З пониженням температури зменшується пікове значення струму, так само зменшується відношення пік-долина. p align="justify"> Експериментальна частина
В якості зразків дослідження виступали два типи РТД, кожен з яких виконаний на основі гетероструктури GaAs/AlAs, вирощеної методом молекулярно-променевої епітаксії. РТД являє собою двобар'єрної квантову структуру, де бар'єрами є шари з AlAs, а квантової ямою-шар GaAs. Шари утворюють характерний двобар'єрної потенційний профіль дна зони провідності (рис.8). Параметри структури представлені в табл. 1. Різниця між двома типами РТД полягає в різної площі мези, для одного вона становить 6х6 мкм2, для іншого 20х20 мкм2. br/>
Табл. 1 - Розміри шарів двобар'єрної квантової структури
№ слояМатеріалТолщіна шару, А1-конт.слойGaAs, концентр.носітелей 1 * 1018 см-310002-спейсерGaAs, нелегірованний1003-барьерAlAs, нелегірованний234-кв.ямаGaAs, нелегірованний455-барьерAlAs, нелегірованний206-спейсерGaAs, нелегірованний4007- конт.слойGaAs, концентр.носітелей 1 * 1018 см-35000
На рис. 8 представлена ​​фотографія двох зразків з мезой 6х6 мкм2, зроблена оптичним мікроскопом з 200-кратним збільшенням. На нижній контактної майданчику розміщена структура, зверху підведена верхня контактна площадка...
