ідпалу в парах сірки
8,7 в€™ 10 17
3,1 в€™ 10 17
-12 -63 /Td>
-30 -146 /Td>
4,96 5,95
5,01 6,31
Таким чином термообробка зразків у парах компонент приводить до зміни розмірів існуючих в кристалі кластерів (Розміри кластерів пропорційні величині Оё) і навіть до "розсмоктуванню" включень другої фази (тобто до зменшення їх розмірів і перетворенню включень другої фази MnS в кластери Mn-S-Mn-S).
Дослідження кінетичних коефіцієнтів кристалів проведені в інтервалі Т = 77-300К і Н = 0,5-6 кЕ. Коефіцієнт Холла (R H ) в досліджуваних кристалах майже не залежить від температури, що вказує на виродження електронного газу. Електропровідність (Пѓ) кристалів має металевий характер (тобто зменшується із зростанням температури), що обумовлено зменшенням рухливості електронів (Ој Н ) при збільшенні Т. Термо-ерс (О±) збільшується із зростанням температури, що обумовлено зменшенням виродження електронного газу.
Термообробка зразків Hg 1-x Mn x S в парах сірки призводить до зниження концентрації електронів і збільшення їх рухливості, а відпал в парах ртуті збільшує концентрацію електронів в зразках.
Література
1. В. А. Грибков, Ф. І. Григор'єв, Б. А. Калин, В. Л. Якушин. Перспективні радіаційно-пучкові технології обробки матеріалів. Цілий рік, М. (2001). 528 с. p> 2. В. М. Асташінскій, В. В. Єфремов, Є. А. Костюкевич, А. М. Кузьміцкій, Л. Я. Мінько.Фізіка плазми 17 (1991). С. 1111-1115. p> 3. В. В. Кутів, В. М. Аніщік, Ю. А. Пєтухов, В. М. Асташінскій, А. М. Кузьміцкій, Н. Т. Квасов./5 th International Conference "New Electrical and Electronic Technology and their Industrial Implementation ", Zakopane, Poland (2007). P.63
4. Діаграми стану подвійних металевих систем. Т. 3, Кн. 1/За ред. Н. П. Лякішева. Машинобудування, М. (1997). 576 с. p> 5. Мьюрарка Ш. Силіциди для НВІС. Світ, М. (1982). 176 с. p> 6. Вайнгард У. Введення в фізику кристалізації металів. Світ, М. (1967). 160 с. br/>
