ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА до курсового проекту
на тему: РОЗРОБКА КОНСТРУКЦІЇ І ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ підсилювач низької частоти в інтегральному виконанні
з дисципліни: Технологія та конструювання МС і МСБ
Зміст
Реферат
Введення
. Аналіз технічного завдання
.1 Склад технічного завдання
.1.1 Електричні вимоги
.1.2 Конструктивні вимоги
.1.3 Виробничо-технологічні вимоги
.1.4 Експлуатаційні вимоги
.1.5 Додаткові вимоги
.2 Забезпечення технічних вимог
.3 Аналіз елементної бази
. Вибір і обгрунтування вибору матеріалів
.1 Резистивні матеріали
.2 Провідникові матеріали
.3 Матеріал підкладки
. Розрахунок конструкції плати
.1 Розрахунок геометричних розмірів плівкових резисторів
.1.1 Розрахунок коефіцієнта форми низькоомних резисторів
.1.2 Розрахунок коефіцієнта форми високоомних резисторів
.1.3 Розрахунок геометричних розмірів низькоомних резисторів з Кф lt; 1
.1.4 Розрахунок геометричних розмірів резисторів з Кф gt; 1
.2 Конструкторсько-технологічні вимоги до навісним компонентам
.3 Розрахунок і вибір типорозміру плати
. Розробка схеми комутації і аналіз якості топологічного креслення
. Розрахунок конструкції корпусу
.1 Розрахунок типорозміру корпусу
.2 Обгрунтування обраної конструкції корпусу
.2.1 Опис конструкції корпусу
.2.2 Характеристика матеріалів корпусу
.3 Вибір та обгрунтування методу герметизації
.4 Контроль герметичності корпусу
6. Вибір і обгрунтування вибору методів
6.1 Мікроконтактірованія навісних компонентів
.2 Контактні майданчики плати і висновків корпусу
. Розробка маршрутних технологічних процесів виготовлення ГІС
.1 Технологічний процес виготовлення плати
.2 Технологічний процес виготовлення збірки ГІС
. Опис технології. Вибір і обгрунтування вибору обладнання
.1 Опис розробленої маршрутної технології виготовлення ГІС
.2 Вибір та обгрунтування вибору відповідного технологічного обладнання
.3 Технічні характеристики використовуваного обладнання
Висновки
Перелік посилань
Реферат
Об'єкт дослідження - конструкція і технологія виготовлення підсилювача низьких частот в інтегральному виконанні.
Методи дослідження: аналітичний, графоаналітичний, по нормативно-технічної документації.
Мета роботи - набути навичок самостійного вирішення інженерних завдань з розробки конструкції і технології мікросхем.
У даній роботі пройдені всі етапи проектування: від аналізу технічного завдання до випуску конструкторської та технологічної документації для виробництва підсилювача низької частоти в інтегральному виконанні. Основними етапами є: вибір матеріалів плівкових резисторів, провідників, підкладки, розрахунок розмірів плівкових резисторів, а також вибір конструкції корпусу, навісних компонентів і технологічного устаткування. Розроблено топологія плати, технологічний процес виготовлення плати та складання всієї МКС на основі типових технологічних процесів.
МІКРОСХЕМА, РЕЗИСТОР, підкладки, типорозмірів ПЛАТИ, КОРПУС, НАВЕСНОЙ КОМПОНЕНТ, МІКРОКОНТАКТІРОВАНІЕ, ГЕРМЕТИЗАЦІЯ, техпроцесу.
Введення
В даний час спостерігається значне розширення застосування в приладах і засобах автоматизації елементної бази підвищеної надійності та швидкодії, мікросхем великою функціональною складності та високого ступеня інтеграції [1]. Накопичено достатній досвід в технології мікроелектронних виробів, для того щоб визначити, який з конструктивно-технологічних варіантів найбільше відповідає даному типу схеми.
У даній роботі розроблені конструкція і технологія виготовлення підсилювача низьких частот у вигляді ГІС. Гібридна плівкова інтегральна мікросхема (ГІС) - ІМС, яка поряд з плівковими елементами, отриманими за допомогою інтегральної технології, містить компоненти, що мають самостійне конструктивне оформлення. Залежно від методу нанесення плівкових елементів на підкладку розрізняють тонкоплівкові (напилення у вакуумі) і товстоплівкові (трафаретний друк) гібридні ІМС. Вибір саме такого конструктивно-технологічного варіанту обумовлений наступними причинами:
По-перше, найбільш підходять для виготовлення по тонкоплівкової технології мікросхеми, в яких число пасивних елементів набагато перевищує число ...
