Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Розрахунок підсилювального каскаду з загальним емітером

Реферат Розрахунок підсилювального каскаду з загальним емітером
















ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА

до курсової роботи

з дисципліни Електротехніка, електроніка і схемотехніка

на тему: Розрахунок підсилювального каскаду з загальним емітером



Зміст


Введення

. Теоретична частина

. 1 Загальні поняття

. 2 Режим спокою в каскаді з загальним емітером

. Практична частина

. 1 Попередні дані для розрахунку підсилювального каскаду

. 2 Вибір типу транзистора

2.3 Вибір режиму роботи транзистора по постійному струму і розрахунок номіналів елементів підсилювача

Висновок

Список використаної літератури



Введення


У сучасній електроніці все велика роль відводиться використанню досягнень цифрової та (в дещо меншій мірі) аналогової мікросхемотехніки. Пристрої на мікросхемах (більше того, іноді тільки на мікросхемах) стали проникати навіть у ті області, де раніше нікому не приходило в голову їх використовувати через явно більшою собівартості в порівнянні з найпростішими транзисторними ланцюжками (різні датчики, іграшки, побутові та промислові індикатори й сигналізатори і т.п.). Незважаючи на це все ще залишаються сфери, де застосування дискретних елементів раніше популярно, а іноді і неминуче. Крім того, знання способів включення і режимів роботи транзисторів, а також методик побудови й аналізу транзисторних схем є обов'язковим для будь-якого інженера - електронщика, навіть якщо йому і не доводиться в реальному житті проектувати схеми на дискретних елементах (адже сучасні мікросхеми - суть транзисторні схеми, поміщення в один загальний корпус із зовнішніми висновками).



1. Теоретична частина


.1 Загальні поняття


Підсилювачами називаються пристрої, в яких порівняно малопотужний вхідний сигнал управляє передачею значно більшої потужності з джерела живлення в навантаження. Найбільшого поширення набули підсилювачі, побудовані на напівпровідникових підсилювальних елементах (біполярних і польових транзисторах); в останні роки підсилювачі переважно використовуються у вигляді готових неподільних компонентів - підсилювальних ІМС. Найпростіша осередок, що дозволяє здійснити посилення, називається підсилювальним каскадом .

Електричні сигнали, що подаються на вхід підсилювачів, можуть бути надзвичайно різноманітні; це можуть бути безперервно змінюються величини, зокрема гармонійні коливання, однополярні або двохполярні імпульси. Як правило, ці сигнали пропорційні певним фізичним величинам. У сталих режимах багато фізичні величини постійні або змінюються дуже повільно (напруга і частота мережі, частота обертання двигуна, напір води на гідроелектростанції). У перехідних і особливо аварійних режимах ті ж величини можуть змінюватися протягом малих проміжків часу. Тому підсилювач повинен володіти здатністю посилювати як змінні, так і постійні або повільно змінюються величини. Такі підсилювачі є найбільш універсальними і поширеними. За традицією їх називають підсилювачами постійного струму (УПТ), хоча таку назву і не цілком точно: УПТ підсилюють не тільки постійну, але і змінну складову {прирощення сигналу) і в переважній більшості випадків вони є підсилювачами напруги, а не струму. У УПТ не можна пов'язувати джерело і приймач сигналу через трансформатори і конденсатори, які не пропускають постійної складової сигналу. Ця умова викликає деякі труднощі при створенні УПТ, з якими ми познайомимося нижче, але воно ж зумовило ще більшого поширення УПТ з появою мікроелектроніки: УПТ не містять елементів, виконання яких у складі ІМС неможливо (трансформатори і конденсатори великої ємності).

Аналізуючи можливість використання біполярних транзисторів для посилення електричних сигналів, ми обмежувалися тільки одним окремим випадком подачі на електроди транзистора певних напруг і не розглядали деякі досить важливі фізичні процеси в напівпровіднику. Але крім уже описаній ситуації можливі й інші, що призводять, наприклад, до протікання в npn -структурі струму не від колектора до емітера, а, навпаки, від емітера до колектора і т.п. У загальному випадку для біполярноголярного транзистора можливі чотири стійких стани (...


сторінка 1 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювального каскаду за схемою з загальним емітером на транзи ...
  • Реферат на тему: Розрахунок вторинного джерела живлення і підсилювального каскаду
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювача постійного струму на операційному підсилювачі
  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювача, побудованого за схемою з загальним емітером