МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
СУМСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
КАФЕДРА НАНОЕЛЕКТРОНІКІ
ОДЗ
Із дисципліни « дисципліна Індивідуальної підготовкі »
на тему
осцилятора терагерцового діапазону на Основі надрешіткі AlAs/GaAs
Виконаю: студент групи ФЕ.м - 41
Пуріга О.О.
Перевірів: Кривець О.С.
Суми - 2014
ВСТУП
Сучасна наука не стоит на місці. Потреба у дослідженні всі БІЛЬШОГО и БІЛЬШОГО числа про єктів формує потребу у спеціфічніх джерелах коливання. Однією з таких потреб є джерела терагерцового діапазону. Дані випромінювання цікаве тім что:
· дает можлівість Вивчення біологічних про єктів.
· Просвічує діелектрікі.
· Чи не впліває на структуру досліджуваного про єкту (На Відміну Від рентгенівського випромінювання).
· Чи не іонізує середовище.
· Добрі поглінається металами.
терагерцового випромінювання Належить проміжку Гц. Спектр частот лежить между ІЧ та НВЧ.
Одним за приладів, что здать генеруваті випромінювання в терагерцового діапазоні - напівпровіднікова структура GaAs/AlAs . Вона прімітна тім что має параметрично дію (тобто здатність легко підстроюваті частоту вихідного коливання без Зміни геометричних параметрів решітки). Це дает можлівість вівчаті про єкти з використанн набору Довжина ХВИЛЮ. Фіксований множнік частоти дает змогу точно спрогнозуваті поведение вихідного коливання.
отримуються Дану структуру методом електронно-променевої епітаксії, что дает можлівість отріматі якомога більшу чистоту зразків та варіатівну товщина шарів. Структура приладнав заснован на зелених сандалів шарів AlAs , GaAs . Це дает змогу отріматі чергування ширини заборонених зон, что и обумовлює поведение структур.
Співвідношення Розмірів шарів AlAs та GaAs дает можлівість налаштуваті прилад на потрібне помножені вхідної частоти накачування для Отримання потрібної довжина Хвилі на віході.
Загальна характеристика терагерцового випромінювання
терагерцового випромінювання отримується й достатньо Важко. Існує так звань терагерцовий провал. Однією з задач сьогодення є Подолання террагерцового провалу. Тож основне Завдання - Отримання НОВИХ джерел терагерцового випромінювання.
Спектр частот лежить у межах. Уявлення про положення даного діапазону представлено на малюнку 1.
Рис. 1. Загальний вигляд полного спектру частот.
Ця ділянка електромагнітного спектра довгий годину Залишани практично неосвоєна - в СЕНСІ проведення спектроскопічніх ДОСЛІДЖЕНЬ та ефективного практичного использование. Причин з'явилися такого «терагерцового провалу» Було й достатньо много.
Найважлівіша з них Полягає в тому, что терагерцового випромінювання має очень «незручно» Довжину Хвилі. Співмірна з розмірамі деталей спектрометра чі Іншого приладнав довжина Хвилі НЕ дозволяє застосовуваті ні звічайні елементи оптичних схем, ні звічні радіофізічні антени або хвілеводі. Лише за останні десятиліття удалось Розробити й достатньо ефектівні методи терагерцової спектроскопії - методи, до якіх часто застосовують приложение «квазіоптічні».
терагерцовий напівпроводніковій надрешітка осцилятор
Рис. 2. терагерцового провал.
оптичні система представляет собою надтонкі шари пластику, тефлону або других Прозоров у терагерцового спектрі матеріалів. На Відміну Від радіо та НВЧ діапазонів, де зв язок віконується помощью дротів або хвілеводів тут Використовують точно зафіксовані елементи класичної оптики з незвичне для неї матеріалів. Предметна установка зазвічай віброізолюється. У приладнав практично реалізується якомога більшім екрануванням від зовнішньої Дії (як віброізоляція так и електромагнітне екранування).
Для генерації у спектрі Використовують як старі методи (радіолампі и того подібне) так и більш сучасні напівпровіднікові методи. Останнім годиною практікують осціляторні напівпровіднікові системи (системи з помножені/діленням частоти). Хоч смороду м...
