ФЛЕШ-ПАМ'ЯТЬ
1. Загальна характеристика флеш-пам'яті як засоби зберігання ІНФОРМАЦІЇ
Флеш - пам'ять - особливий вид незалежної напівпровіднікової пам'яті.
- Незалежна - пам'ять, яка НŠ​​потребує додаткової ЕНЕРГІЇ для зберігання даніх (енергія потрібна позбав для запису).
- пам'ять, якові можна перезапісаті - допускає зміну (перезапису) даніх, что зберігаються в ній.
- Напівпровіднікова (твердотільна) - что НЕ містіть механічно Рухом частин (як звічні жорсткі диски або CD), побудовали на Основі інтегральніх мікросхем (IC-Chip).
На відміну від багатьох других тіпів напівпровіднікової пам'яті, комірка флеш - пам'яті НЕ містіть конденсаторів - Типова комірка флеш - пам'яті Складається Усього-на-Всього з одного транзистора особлівої архітектури. Комірка флеш - пам'яті чудово змінює масштаб, что досягається НЕ позбав Завдяк успіхам у мініатюрізації Розмірів транзісторів, альо и Завдяк конструктивності знахідкам, что дозволяють в одної комірці флеш - пам'яті зберігаті декілька біт ІНФОРМАЦІЇ.
Флеш - пам'ять Історично походити від ROM (Read Only Memory) пам'яті, и функціонує подібно RAM (Random Access Memory). Дані флеш зберігає в елементах пам'яті, схожих на коміркі в DRAM. На відміну від DRAM, при відключенні живлення дані з флеш - пам'яті НЕ пропадають.
Заміні пам'яті SRAM и DRAM флеш-пам'яттю НЕ відбувається через Дві Особливості флеш - пам'яті: флеш працює Суттєво повільніше и має обмеження по кількості ціклів перезапису (від 10.000 до 1.000.000 для різніх тіпів).
Надійність/довговічність: інформація, записана на флеш - пам'ять, может зберігатіся Дуже трівалій годину (від 20 до 100 років), и здатн вітрімуваті значні Механічні НАВАНТАЖЕННЯ (у 5-10 разів перевіщуючі гранично Допустимі для Звичайний Жорсткий дисків).
Основна перевага флеш - пам'яті перед жорсткий диск и носіямі CD-ROM Полягає у того, что флеш - пам'ять спожіває однозначно (пріблізно у 10-20 и больше разів) менше ЕНЕРГІЇ во время роботи. У прибудують CD-ROM, жорсткий диск, касетах и других механічніх носіях ІНФОРМАЦІЇ, велика частина ЕНЕРГІЇ Йде на приведення у рух механіки ціх прістроїв. Крім того, флеш - пам'ять більш компактна чем Другие Механічні носії.
Завдяк НИЗЬКИХ енергоспоживання, компактності, довговічності и відносно вісокій швідкодії, флеш - пам'ять Ідеально Підходить для вікорістовування як накопичувачі в таких портативними прилаштувався, як: цифрові фото-і відео камери, стільнікові телефони, портативні комп'ютери, MP3-плеєри, цифрові диктофони, и т.п.
У даним конспекті розглядається позбав "чиста" флеш - пам'ять з числом ціклів читання/запису больше 10000. Окрім "чистого" flash існують OTP (One Time Programmable) - пам'ять з Єдиним циклів запису, и MTP (Multiple Time Programmable) - до 10000 ціклів. Окрім кількості допустимих ціклів Записів/стирання прінціпової різніці между MTP и Flash немає. OTP Суттєво відрізняється від ціх тіпів архітектурно.
2. ROM и Flash
Флеш - пам'ять Історично Відбулася від напівпровіднікового ROM, протікання ROM-пам'яттю НЕ є, а Всього позбав має сходжу на ROM організацію. Безліч джерел (як вітчізняніх, так и зарубіжніх) часто помилковості відносять флеш - пам'ять до ROM. Флеш Ніяк НЕ может буті ROM хочай б того, что ROM (Read Only Memory) переводитися як "пам'ять позбав для читання ". Ні про якові спроможність перезапису в ROM мові буті НЕ может! p> Серед напівпровіднікової пам'яті позбав два типи відносяться до "чистого" ROM - Це Mask-ROM и PROM. На відміну від них EPROM, EEPROM и Flash відносяться до класу незалежної пам'яті (англійський еквівалент - nonvolatile read-write memory або NVRWM).
Різні джерела по-різному розшіфровують абревіатуру EPROM - як Erasable Programmable ROM або як Electrically Programmable ROM (стірані програмовані ПЗП або електричне програмовані ПЗП). У EPROM перед записом звітність, провести стирання (Відповідно з'явилася Спроможність перезапісуваті вміст пам'яті). Стирання комірок EPROM віконується відразу для всієї мікросхеми за помощью опромінювання чипа ультрафіолетовім або рентгенівськім промінням ПРОТЯГ декількох хвилин. Мікросхеми, стирання якіх проводитися Шляхом опромінювання ультрафіолетом, були розроблені Intel в 1971 году, и носячи Назву UV-EPROM (Приставка UV (Ultraviolet) - ультрафіолет). Смороду містять віконця з кварцовий скла, Які после Закінчення процеса стирання заклеюють.
EPROM від Intel булу засновалося на МОП-транзисторах з лавинами інжекцією заряду (FAMOS - Floating Gate Avalanche injection Metal Oxide Semiconductor, російський еквівалент - ЛІЗМОП). У первом набліженні такий транзистор є конденсатором з Дуже малим виток заряду. Пізніше, в 1973 году, компанія Toshiba розроб коміркі на Основі SAMOS (Stacked gate A...
