Визначення диференціальних параметрів транзисторів по їх статичним характеристикам. Розрахунок параметрів еквівалентної схеми біполярного транзистора
електричний схема суммирующий лічильник
Визначити значення h-параметрів біполярного транзистора в робочій точці, заданої напругою і струмами. Пояснити фізичний зміст параметрів. Uке = 3,5 В; Ік = 280 мА. br/>В
Рис.1
Визначення h-параметрів починається з знаходження заданого положення робочої точки транзистора. По вихідних характеристиках, задаючи прирощення струму бази, отримаємо збільшення струму колектора, а змінюючи напругу на колекторі транзистора при постійному струмі бази, отримаємо збільшення струму колектора. За допомогою вхідних характеристик знаходимо прирощення напруги бази при постійному значенні струму бази і відповідне прирощення колекторного напруги, при яких визначені вхідні характеристики. Прирости базового струму і напруги при постійному коллекторном напрузі знаходимо як різниця між базовими струмами і базовими напруженнями. br/>
h21е =? Ік /? Iбе = (305 - 280) * 10-3/(4,5 - 4) * 10-3 = 50; е =? Ік /? Uкее = (285 - 275) * 10-3/(4,5 - 2,5) = 5 * 10-3 См; е =? Uбе /? Iбе = (0,98 - 0,88)/(5 - 3) * 10 -3 = 0,05 * 103 Ом; е =? Uбе /? Uкее = (0,98 - 0,6)/(10 - 0) = 0,038
Фізичний зміст відповідних параметрів:
h11 - вхідний опір при короткому замиканні;
h12 - коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі;
h21 - коефіцієнт передачі струму при короткому замиканні;
h22 - вихідна провідність при холостому ході.
. Розрахувати за отриманими в п.1 даними значення фізичних параметрів (параметрів еквівалентної схеми) транзистора. Привести Т-подібну еквівалентну схему транзистора. Транзистор включений за схемою з загальним емітером. p align="justify"> Параметри схеми заміщення біполярного транзистора визначають наступним чином:
е = h12е/h22е Rе = 0,038/5 * 10-3 = 7,6 Ом; б = h11е - (1 - h21е) h12е/h22еб = 0,05 * 103 - (1 - 50) 0,038/5 * 10-3 = 0,422 * 103 Ом = 422 Ом; к = 1/h22е rк = 1/5 * 10-3 = 0,2 * 103 Ом = 0,2 кОм;
? = h21е = 50
Еквівалентна Т-подібна схема транзистора із загальним емітером наведена на малюнку 1.
В
Рис.2
Визначити параметри польового транзистора в заданій робочій точці
Транзистор включений за схемою з загальним витоком. Uсі = 15 В; Iс = 12 мА. p align="justify"> За вхідним і вихідним характеристикам польового транзистора знаходять його основні параметри:
крутизна S розраховуємо за формулою:
S =? I с /? Uзи = (13,...
