Введення
Атомний силовий мікроскоп був розроблений в 1986 році, через чотири роки після винаходу скануючого тунельного мікроскопа. Перший промисловий АСМ був виготовлений в США фірмою Діджитал інструментс (Digital Instruments) в 1989 році. Сьогодні в різних лабораторіях є більше 1000 таких приладів, в Росії - близько 60. Атомний силовий мікроскоп дозволяє спостерігати рельєф поверхні з великим просторовим дозволом - кілька ангстрем уздовж поверхні й соті частки ангстрема по висоті (1 ангстрем = 1 Г… = 10-8 см). При такому дозволі вдається побачити окремі молекули, складові тверде тіло. Перша робота, в якій за допомогою АСМ вивчався ріст кристала в розчині, опублікована в 1992 році. Так почалася нова ера експериментального дослідження фізики кристалізації, ера вивчення елементарних актів приєднання частинок до зростаючої поверхні [1].
АСМ (або AFM, інша назва СЗМ - скануючий зондовий мікроскоп) служить для отримання зображень поверхонь різного роду: металів, кераміки, полімерів або біомолекул і живих клітин. Крім того, АСМ істотно розширює можливості експериментатора при вивченні механічних, магнітних і електричних властивостей матеріалів. br/>
1. Літературний огляд
.1 Атомний силовий мікроскоп (АСМ)
.1.1 Створення атомного силового мікроскопа
У 1982 році два швейцарських фізика Герд Бінніг і Гейнріх Рорер, що працюють в Дослідницької лабораторії фірми ІБМ в Цюріху (Швейцарія), сконструювали прилад абсолютно нового типу, за допомогою якого можна було розглядати окремі атоми на поверхні. Творцям цього приладу - скануючого тунельного мікроскопа - в 1986 році була присуджена Нобелівська премія [2,3]. p align="justify"> Дослідники всього світу, які займаються фізикою поверхні, та й взагалі фізикою конденсованих середовищ, негайно переконалися, що тунельний мікроскоп - прилад абсолютно чудовий. Дійсно, адже до його появи ще нікому не вдавалося розглядати поверхню з такою нечуваною детальністю - атом за атомом. Однак у ВТМ є один недолік: з його допомогою можна вивчати тільки матеріали, добре проводять електричний струм. Таке обмеження випливає з самого принципу роботи СТМ - для ефективного тунелювання (просочування) електронів через зазор між поверхнею досліджуваного зразка і чутливим елементом приладу (голкою) на поверхні повинно бути багато, як кажуть фізики, електронних станів. Тому коли дослідники взялися вивчати за допомогою СТМ непровідні речовини, вони були змушені покривати такі речовини металевою плівкою або В«пришиватиВ» їх до поверхні провідника, наприклад золота. p align="justify"> Але от у Наприкінці 1986 року той же Бінніг запропонував конструкцію приладу нового покоління, який теж дозволяє досліджувати поверхні з безпрец...
