ЗАПОРІЗЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
Кафедра мікро-та наноелектронікі
КУРСОВИЙ ПРОЕКТ
з дисципліни
«Електронна техніка. Матеріали »
на тему: «Розподіл електричного поля и Контактні Явища в широкозонних напівпровідніках и вузькозонних діелектріках»
Студентки I курсу групи РТ - 413
безпосередньо підготовкі 6.050801 Мікро-та
наноелектроніка
Спеціальності 7.18010010 Якість,
стандартизація та сертифікація
Шагіданової Д.А
Керівник Сніжной Г.В.
канд. фіз.-мат. наук,
доцент кафедри мікро-та наноелектронікі
м.Запоріжжя
рік
Реферат
Пояснювальна записка до курсового проекту має 45 сторінок, 7рісунків, 7 таблиць, 6 джерел.
Про єкт Дослідження - Bi 12 SiO 20
Метод проектування - розрахунково - графічний.
курсового проекту Складається з двох розділів.
В первом розділі надано історичний Огляд історії та походження кремнію. Отримання промислового кремнія. Розгляд властівостей кремнія. Застосування кремнія.
У іншому розділі розраховано Розподіл поля та заряду в об ємі Bi 12 SiO 20. Такоже розраховано: залежність розподілу поля від координат; залежність розподілу заряду від координат. Представлено нормовані Значення розподілу потенціалу, поля, заряду від координат. Розраховано кількість заряду в залежності від площі та Густиня заряду.
КОНСТАНТА Маделунга, ЕЛЕКТРОСТАТІЧНІЙ ВОЛЬТМЕТР, ПОТЕНЦІАЛ, нормування, ЗАРЯДОГРАМА
ЗМІСТ
1. Історія ВИНИКНЕННЯ та Властивості кремнію (Si)
.1 Історія та походження назви кремнію (Si)
.2 Поширення в природі кремнію (Si)
1.3 Хімічні та ФІЗИЧНІ Властивості кремнію (Si)
.4 одержании кремнію (Si)
.5 Застосування кремнію (Si)
2. Розрахунок РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРИЧНА ПОЛЯ І КОНТАКТНІ Явища У ОБЕКТІ ДОСЛІДЖЕННЯ Bi12SiO20
2.1 обєктах Дослідження Bi12SiO20
.2 експерементальний установка для методу потенційного зонду
.3 Обчислення розподілу поля та заряду в обємі Bi12SiO20
.4 Нормованій графік
.5 Розрахунок накопічуваного заряду в досліджуваному матеріалі
ВИСНОВКИ
ПЕРЕЛІК ПОСИЛАННЯ
Додаток А
Додаток B
Додаток C
Додаток D
Додаток E
Додаток F
Додаток G
Додаток H
Додаток I
Додаток J
ВСТУП
Даній курсовий проект розроблено на тему напівпровіднікового матеріалу - креміня. У теоретічній частіні проекту, якомога широко уявлень материал як елемент безпосередно ВАЖЛИВО для планети, жіттєдіяльності людини та науки.
Кремній, перекладається c ін грецького « стрімчак, гора » (???) - Цею хімічний елемент, розташованій под 14 ном...
