1. дані на технічне завдання
Змістом курсового проекту є проектування вхідного широкосмугового RC-підсилювача, джерелом сигналу якого є генератор струму. Подібні підсилювачі знаходять широке застосування в відеоапаратурі, а також у блоках управління радіо і відеотехнікою. Особливість проектування полягає в тому, що по ряду показників - стабільності коефіцієнта посилення, динамічному діапазону вхідних сигналів і смуги пропускання, до підсилювачів пред'являються досить високі вимоги.
Завдання на курсовий проект являє собою технічні умови, за якими надолужити спроектувати пристрій, що працює в режимі малого сигналу.
Параметри польового транзистора КП307Б дані в таблиці № 1.
Таблиця 1
ПараметрЕд. ізм.Опісаніе параметра I з поч мАНачальний ток стока10S max мА / ВКрутізна характеристики польового транзистора максімальная15U отс ВНапряженіе відсічення - 5U зи ВНапряженіе затвор-витік - 1С зи пФВходная ємність польового транзістора5C зс пФПроходная ємність польового транзістора1, 5
Параметри біполярного транзистора npn типу КТ382А дані в таблиці № 2.
Таблиця 2
ПараметрЕд. ізм.Опісаніе параметра P до max мВтМаксімально допустима постійна розсіює потужність коллектора100U ке max ВМаксімально допустиме постійна напруга колектор-емітер при опорі в ланцюзі база-еміттер15I до max мАМаксімально допустимий постійний струм коллектора20h 21е min Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора в режимі малого сигналу в схемі з загальним еміттером40
Таблиця 3
напруга джерела живлення Е 0 опір зовнішнього нагрузкірабочій діапазон частот f н? 2 робочий діапазон частот f в? 2 струм джерела сігналаемкость зовнішнього навантаження ВкОмкГцМГцмкАпФ101, 330215
Конденсатори З 1 - З 6 вибираються 1-5 мкФ;
ток частотний змінний опір
2. Опис принципової схеми
Рисунок 1 - Принципова схема підсилювача
Джерелом сигналу є струм фотодіода - V1. Якщо світло на фотодіод не падає, діод V1 закритий і його внутрішній опір велике. Внаслідок цього джерелом сигналу є генератор струму. Елементи С1, R2 утворюють розв'язують фільтр по ланцюгах харчування (Е 0).
В якості активного елементу першого каскаду обраний польовий транзистор, оскільки він володіє меншим рівнем власних шумів. Вхідні ланцюг пристрої утворена вхідний сумарною місткістю, що складається з прохідної ємності Сд фотодіода V1, вхідний ємності Свх транзистора V2 і ємності монтажу См, а також вхідним опором каскаду V2. Хоча вхідний опір транзистора V2 - rзі велике, вхідний опір каскаду визначається дільником напруги на його затворі (паралельним з'єднанням резисторів R3 і R4). Дана вхідні ланцюг і визначатиме частоту верхнього зрізу Fвх. Біполярний транзистор V3, включений за схемою загальний колектор (ОК) служить буферним каскадом з великим вхідним і малим вихідним опором. Транзистор V4 включений за схемою з загальним емітером (ОЕ). Зовнішні...
