ustify">.
2 = l 3 = l min = 0,5 mm.
Визначаємо ширину резисторів:
;
Таким чином, отримані розміри резисторів:
1 : l 1 = 0,5 mm; b 1 = 0,25 mm
R 2 : l 2 < span align = "justify"> = 0,5 mm; b 2 = 1,06 mm
R 3 : l 3 < span align = "justify"> = 0,5 mm; b 3 = 1,06 mm
Площа, яку займає резисторами становить:
R = (0,5 В· 0,25 + 0,5 В· 1,06 + 0,5 В· 1,06) = 1,185 mm 2 В» 1,2 mm 2
3) Розрахунок плівкового конденсатора С 1
) Матеріал діелектрика для конденсатора С 1 вибирається з таб . 2. Враховуючи, що резистори виготовляються методом термічного напилення, то з технологічних міркувань матеріал діелектрика також повинен напилюваного тим же методом. Виходячи з цього, вибирається для діелектрика моноокись кремнію (SiO) з питомою ємністю рівній C 0 = 10 000 pF/cm 2 .
) Розрахуємо площу конденсатора, використовуючи формулу (4):
;
6) Площа безкорпусного ОУ становить
оу = 1,5 x 1,5 = 2,25 mm 2 . S = 1,2 mm 2 + 100 mm 2 + 2,25 mm 2 = 103,45 mm 2 ;
7) Вибір розміру підкладки.
) Враховуючи площа сполук, відстань між елементами ГІС і відстань від краю підкладки, отримане значення площі збільшуємо в три рази
S S = 3S S < span align = "justify"> = 3 В· 103,45 В» 310 mm 2 .
9) Виходячи з цього по таб. 3 вибираємо типорозмір плати: (16 х 20) mm.
10) На основі проведених розрахунків та обраних конфігурацій елементів складається топологічна схема гібридної ІМС (рис. 11).
) Малюнок виконаний в масштабі 10: 1.
) На малюнку пунктиром позначений кордон діелектричної плівки; штрихом позначена межа нижньої обкладки конденсатора; резистивная плівка заштрихована.
В В
В
Література
1. "Конструювання та технологія мікросхем". М., "Вища школа" 1984
. Під ред. Коледова Л.А.
. Єфімов Є.І. та ін
. "Мікроелектроніка". М., "Вища школа" 1986
. Коледов Л.А., Ільїна Е.М.
. "Гібридні інтегральні мікросхеми". М., "Вища школа" 1987
. Степаненко І.П. "Основи мікроелектроніки". М., "Рад. радіо "1980
