ад, мікросхеми К558РР2, К1609РР1, К573РР2, К573РФ2 ємністю 2К.Х8 біт, належать до різних груп РПЗУ за типом елемента пам'яті, мають схожу структуру і однакову розводку висновків корпусу (рис. 22,6). Відмінність між мікросхемами груп ЕС і УФ полягає у способі реалізації режиму стирання.
Принцип побудови і режим роботи РПЗУ розглянемо на прикладі мікросхеми КР1601РРЗ ємністю 2Кх8 з ЕП на р-МНОП транзисторах. Структурна схема (рис. 24) містить всі елементи, необхідні для роботи мікросхеми в якості ПЗУ: матрицю з елементами пам'яті, дешифратори коду адреси рядків і стовпців, селектор (ключі вибору стовпців), пристрій вводу-виводу УВВ. Крім того, в структурі передбачені функціональні вузли, що забезпечують її роботу в режимах стирання і програмування (запису інформації) -це комутатори режимів і формувачі імпульсів напруг необхідної амплітуди і тривалості з напруги програмування UPR. У порівнянні з мікросхемами ПЗУМ і ППЗУ система керуючих сигналів доповнена сигналами програмування PR і стирання ER. Накопичувач з матричною організацією містить 128 рядків і 128 стовпців, на перетинах яких розташовані 16 38-4 елементів пам'яті. Управління накопичувачем здійснюють сім'ю старшими розрядами адресного коду, який після дешифрування вибирає рядок зі 128 елементами пам'яті. Сигнали, лічені з елементів вибраного рядка, надходять на входи селектора, призначення якого полягає у виборі з 128-розрядного коду на входах восьми розрядів, які далі надходять через УВВ на виходи мікросхеми. Селектором управляють чотирьох молодших розряду адресного коду, які після дешифрування забезпечують вибірку одного восьмирозрядного слова з 16 слів, що містяться в вибраному рядку. Пристрій керування під впливом сигналів на своїх входах, забезпечує роботу мікросхеми в одному з наступних режимів: зберігання, зчитування, стирання, записи (програмування). Керуючі сигнали мають наступне призначення: CS - вибір мікросхеми; PR-дозвіл на режим запису (програмування); UPR - напруга програмування; RD - сигнал зчитування; ER - сигнал стирання інформації. Входи сигналів інверсні, тому дозволяючим значенням цих сигналів є 0. Багато мікросхеми групи ЕС Допускають виборче стирання за адресою. Умови реалізації названих режимів для мікросхем РПЗУ групи ЕС наведено в табл. 4. Розглянемо ці умови для мікросхеми КР1601РРЗ, звертаючись при цьому до рис. 24.
У режимі загального стирання на керуючі входи подають сигнали, відповідні табл. 4, в тому числі напруга програмування UPR=36 В. Процес стирання починається з моменту подачі імпульсу ER, який повинен мати тривалість від 100 до 200 мс. По закінченні стирання все ЕП матриці переходять у стан, відповідне логічного 0. У цьому режимі сигнали на адресних та інформаційних висновках можуть мати довільні значення.
Мікросхема КР1601РРЗ допускає порядкове стирання. Цей режим відрізняється від розглянутого значенням сигналу PR=0, наявністю на всіх інформаційних висновках сигналів з рівнем 1, а на адресних входах - сигналів адреси рядка А4 -А10, за яким слід стерти інформацію з усіх - 128 ЕП. Час виборчого стирання те ж, що і загального.
Малюнок 24 Структура мікросхеми РПЗУ - ЕС
У режимі запису (програмування) на висновки мікросхеми подають записуваний байт, код адреси, керуючі сигнали по табл. 4. і потім імпульс -сигнал програмування PR=0 на час 20 мс. Для програмування в автоматичному режимі всією мікросхеми з числом адрес 2048 потрібно 41 с.
У режимі зчитування на висновок UPR комутують напруга живлення - 12 В (див. табл. 4) для зниження споживаної потужності, подають код адреси і керуючі сигнали по табл. 4, причому сигнал зчитування RD повинен мати імпульсну форму. Через 0,4 мкс на інформаційних виходах з'являється прочитуване слово.
Режим зберігання забезпечують сигналом CS=1, заборонним звернення до мікросхемі незалежно від значень сигналів на інших входах. Можливий другий варіант забезпечення режиму зберігання при використанні імпульсного живлення напругою - 12 В: Такий режим дозволяє зменшувати споживану потужність. Коли в паузах між зверненнями до мікросхемі відключають напруга живлення, вона переходить в режим зберігання.
Таблиця 4. режими мікросхем РПЗУ-ЕС
Управління перемиканнями харчування доцільно здійснювати сигналом CS.
При експлуатації мікросхем РПЗУ необхідно забезпечити необхідний порядок включення і виключення напруг живлення і програмування: при включенні спочатку подають 5 В, потім - 12 В і останнім напруга програмування, при виключенні послідовність змінюється на зворотну. Можна всі три напруги включати і вимикати одночасно.
Перевагою мікросхем РПЗУ групи ЕС є можливість перепрограмування без вилучення їх з пристрою, де вони працюють. Іншим позитивним властивістю мікросхем дан -
ної групи є значний?? ве число циклів перепр...
