.13, б), що входять в модуль НВ (нуль-орган + орган витримки часу), використовується заряд конденсатора С. У режимі очікування транзистор VT1 відкритий і шунтує конденсатор С через діод, в якості якого використовується перехід база - колектор транзистора VT2. Конденсатор З розряджений. При подачі на клему В«ВхідВ» негативного потенціалу транзистор VT1 і перехід база - колектор транзистора VT2 (з великим зворотним опором) закриваються і починається заряд конденсатора через резистор R1 (опір 1 ... 2 МОм). Коли потенціал лівої обкладки конденсатора С (потенціал бази транзистора VT3) стане вище потенціалу емітера транзистора VT3 (+5 В), останній відкриється, викликаючи відкриття транзисторів VT4, VT5 і VT6. При цьому на клеми В«ВихідВ» потенціал змінюється від позитивного до нульового значення. p align="justify"> Фазові органи (рис.13, в) входять до модулі ІФМ-1 і ІФМ-2. Модуль ІФМ-1 використовується в дистанційній захисті першого ступеня. Він дозволяє дію цьому ступені, якщо струм відстає від напруги на величину фазового кута в межах від 0 до 110 В°. Фазовий орган модуля ІФМ-2 використовується в дистанційній захисту другого ступеня. Він дозволяє дію цьому ступені, якщо струм відстає від напруги на величину фазового кута в межах від 50 до 110 В°. Кожен модуль містить канали формування імпульсу струму (транзистори від VT1 до VT5) і імпульсу напруги (транзистори від VT6 до VT11), а також перетворювач імпульсів у потенційний сигнал, виконаний у вигляді тригера на елементах І-НЕ (DD1, DD2, DD3).
Нуль-орган на транзисторах VT1, VT3 і VT4 формують прямокутні імпульси напруги, тривалість яких збігається з тривалістю половини періоду синусоїди струму. На виході каскаду транзисторної затримки (транзистор VT5) формується вузький імпульс з тривалістю від 2 до 3 В°, збігається з моментом переходу синусоїди струму через нульове значення. Нуль-орган на транзисторах VT6, VT7, VT9 формує прямокутні імпульси, тривалість яких збігається з тривалістю половини періоду синусоїди напруги. Два транзисторних каскаду затримки в модулі ІФМ-2 (транзистори VT10 і VT11) формують прямокутний імпульс, зрушений у бік відставання щодо початку напівхвилі синусоїди напруги на 50 В° з похибкою від -1 до +3 В°. Тривалість прямокутного імпульсу відповідає 40 В° з похибкою від -5 до +20 В°. Таким чином зона існування цього імпульсу відповідає діапазону від 50 до 110 В° з відповідними похибками. p> У модулі ІФМ-1 тривалість прямокутного імпульсу напруги складає 90 В° з похибкою від -1 до +20 В°, причому початок цього імпульсу має збігатися з початком напівхвилі синусоїди напруги. Для цього конденсатор, підключений до колектора транзистора VT10, від'єднують від цього транзистора і замість нього між колектором транзистора VT9 і базою транзистора VT11 включають інший конденсатор більшої ємності. p> Якщо вузький імпульс струму, сформований на колекторі транзистора VT5, збігається з прямокутним імпульсом напруги, сформованим на колекторі транзистора VT11, то відкри...
