Розрахований підсилювач має наступні технічні характеристики:
. Робоча смуга частот: 0.05-20 МГц
. Лінійні спотворення:
в області нижніх частот не більше 2 дБ
в області верхніх частот не більше 2 дБ
. Коефіцієнт посилення - 38,061 дБ
. Амплітуда вихідного напруги
. Напруга живлення
Підсилювач має запас щодо посилення 3,061 дБ. Це необхідно для того, щоб у разі погіршення підсилювальних властивостей коефіцієнт передачі підсилювача не опускався нижче заданого рівня, визначеного технічним завданням.
Перевірка розрахованої схеми була виконана в програмі Multisim.
Спроектований підсилювач задовольняє всім вимогам, зазначеним у завданні, що говорить про правильність зробленого.
СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ
1. Красько О.С. Аналогові електронні пристрої: Методичні вказівки по курсовому проекту - Томськ: ТМЦДО, 2000. - 42с.
. Титов А.А. Розрахунок елементів високочастотної корекції підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах: Навчально-методичний посібник з курсового проектування для студентів радіотехнічних спеціальностей.- Томськ: ТУСУР, 2002. - 47 с.
. Титов А.А. Методи підвищення вихідної потужності підсилювачів радіопередавальних пристроїв: Навчально-методичний посібник з курсового проектування для студентів радіотехнічних спеціальностей.- Томськ: ТУСУР, 2003. - 57 с.
. Бородін Б.А., Ломакін В.М., Мокряков В.В. та ін; Под ред. Голомедова А.В. Потужні напівпровідникові прилади. Транзистори: Довідник - М.: Радіо і зв'язок, 1985. - 560с., Ил.
. Титов А.А. Транзисторні підсилювачі потужності МВ і ДМВ - М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2006. - 328с., Ил.
ДОДАТОК
Схема електрична принципова. Підсилювач широкосмуговий
Поз. обозначениеНаименованиеКол.ПримечаниеКатушки індуктивності L1SMD 1800мкГн ± 5% 1L2SMD 4700мкГн ± 5% 1КонденсаториС1К10-17Б - 20нФ ± 5% 1С2К10-17Б - 7,5 нФ ± 5% 1С3К10-17Б - 47нФ ± 5% 1С4К50-17Б - 39нФ ± 5% 1С5К10-17Б - 0,1 мкф ± 5% 1С6К10-17Б - 1мкФ ± 5% 1С7К10-17Б - 82пф ± 5% 1РезісториR1С1-4 - 1Вт - 0,91 кОм ± 5% 1R2С1-4 - 1Вт - 2кОм ± 5% 1R3SQP - 5Вт -1,6 кОм ± 5% 1R4С1-4 - 1Вт - 24Ом ± 5% 1R5С1-4 - 1Вт - 8,2 кОм ± 5% 1R6С1-4 - 1Вт - 1.1кОм ± 5% 1R7С1-4 - 1Вт - 2,0 кОм ± 5 % 1R8С1-4 - 1Вт - 17 Ом ± 5% 1R9SQP - 5Вт - 3,3 Ом ± 5% 1ТранзисторыVT1КТ610Б1VT2КТ361Б1VT32Т920А1
