ron devices. - 54, 9. - 2007. -C. 2072.
. K. R. Mok etc. Predictive of advanced Nano - CMOS Device Based on kMC process simulation// Electron devices. - 54, 9. - 2007. -C. 2155.
5. Іващенко В. М., Мітін В. В. Моделювання кінетичних явищ у напівпровідниках. Метод Монте-Карло. - К.: Наукова думка, 1990. - 192 с.