на напруга не менше ± 13 Втіповое ± 15 ВКоеффіціент впливу нестабільності джерел живлення на напругу смещеніяне менше 94 дБЧастота еденічние усіленіяне менше 0,4 МГцСкорость наростання вихідної напряженіяне менше 0,1 В / мксСредній температурний дрейф напруги смещеніяне більше 3 мкВ / ° CСредній температурний дрейф різниці вхідних токовне більше 120 пА / ° C
Принципова схема ДУ і ВУ приведено малюнку 8.2. В якості резисторів R [1] вибираємо:
R 1, R 2: С2-29В - 0.062Вт - 10кОм ± 0.1%-А
Рисунок 8.2 - Принципова схема диференційного (DA2) і допоміжного підсилювача (DA1)
Необхідно сформувати напруга 150мВ. Для цієї мети використовуємо схемою параметричного стабілізатора напруги, представлену на малюнку 8.3.
В якості стабілітрона виберемо прецизійний стабілітрон 2С108Б [3] з номінальною напругою стабілізації 6.4В, а в якості ОУ використовуємо К140УД17А [5]. Дільник напруги R 4, R 5 повинен забезпечити вихідна напруга 100мВ.
Розрахуємо дільник напруги:
; ,
звідки, задаємося R2=1кОм і знаходимо R1=42.7 кОм
Вибираємо резистори [1]:
R4: С2-29В - 0.062Вт - 42.7кОм ± 0.1%-А
R5: С2-29В - 0.062Вт - 1кОм ± 0.1%-А
Опір Rб - балластний повинно пропустити струм стабілітрона і струм дільника Iд:
Ток стабілітрона Ic задаємо 15 мА, тоді:
Вибираємо Rб [1]: С2-29В - 0.062Вт - 570 Ом ± 0.1%-А
Малюнок 8.3 - Формувач напруги зсуву
9. Розрахунок впливу перешкоди загального вигляду
Впливи перешкоди загального вигляду проведемо відповідно до схеми наведеної на малюнку 9.1. На даній схемі Спар, Rиз - відповідно паразитная ємність і опір ізоляції чутливого елемента ТПС щодо його корпусу, який завжди заземляется.
Малюнок 9.1-Схема, що пояснює дію перешкоди загального вигляду Ео.в
Точка D, еквівалентна точка докладання Rt до корпусу ТПС, розбиває Rt на дві складові Rt і Rt, Rt + Rt=Rt. Місцезнаходження точки D відносно Rt визначає частку перешкоди Ео.в, що приходить на вхід ВП. Rвх - вхідний опір підсилювача, ZАС, ZВС - еквівалентні комплексні опору ізоляції та паразитні ємності в точках А і В відношенні тільки заземленого корпусу ВП. Ео.в напруга між точками ІП і ТПС. Як правило RАС? RВС? (0.1? 10) ГОм і САС? СВС? (0.1? 10) нФ. Еквівалентна схема дії перешкоди загального вигляду представлена ??на малюнку 9.2а. Звідки видно, що з урахуванням того r, Rt «Zіз, ZАС, ZBC, Rвх, вплив перешкоди Ео.в буде найбільшим (UАВ - максимально) якщо точка D займе положення між r і Rt, см. малюнок 6.2б. З урахуванням зазначених нерівностей можна перейти до схеми, представленої на малюнку 6.2в, по якій оцінимо вплив перешкоди Ео.в. У даному випадку напруга UАВ - це напруга на опорі Rt, тоді:
З урахуванням тим, що:,
можна записати наступний вираз:
.
Малюнок 9.2 - Еквівалентні схеми для оцінки впливу перешкоди Ео.в
У нашому випадку, Rиз=Rпар=500 кОм; Спар=1 нФ; ?=314 с - 1; Ео.в=10 В; Rt=50 Ом,
Тоді отримаємо: Спар · Rпар=10-9 · 3.14 · 500.103=0,157 с. «1.
Для цієї напруги від корисного напруги, на вході ДУ:
Складає: 1/64.2=1.55 (Це не припустимо. За...
