улярні генератори НВЧ діапазону володіють виключно високою стабільністю частоти коливань ~ 10-13 (наприклад, годинник на основі такого генератора В«підутьВ» на 3 секунди за 1 млн. років). Квантові парамагнітні підсилювачі СВЧ мають рекордно низький рівень власних шумів (не пов. 10 До) в порівнянні з підсилювачами інших типів і тому застосовуються в пристроях радіоастрономії, системах далекого космічного зв'язку. На основі лазерів виникли нові галузі науки і техніки: нелінійна оптика, лазерна хімія, лазерна технологія, голографія, лазерна медицина, лазерна интерферометрия та ін Потужний спрямований лазерний пучок, сфокусований на поверхні будь-якої речовини, здатний розплавити і випарувати його. Це явище лежить в основі багатьох технологічних застосувань лазерів. Лазерний промінь служить незамінним інструментом інтерферометричних вимірювань з високою точністю, приблизно порівнянної з розмірами атомів і молекул. Здатність активного середовища деяких лазерів накопичувати енергію збудження і потім випромінювати її у вигляді короткого (10-7-10-9) імпульсу з недосяжною перш потужністю (109-1010Вт) лягла в основу лазерної імпульсної локації і дальнометріі. Надзвичайно мала розбіжність лазерного випромінювання (приблизно на 4 порядки менше, ніж у НВЧ випромінювання при порівнянних діаметрах антенних систем) робить можливим його передачу на величезні відстані, недосяжні для радіолокації. Інжекційні ПП лазери, безпосередньо перетворюють електричний струм в когерентне оптичне випромінювання, є самими мініатюрними приладами КЕ, на основі яких розвиваються такі важливі напрямки електроніки, як оптоелектроніка, системи запису і зчитування інформації. Лазери активно вторглися в технологію сучасної мікроелектроніки (процеси підгонки резисторів, контролю мікросхем, скрайбування і відпалу кремнієвих пластин, фотолітографії і т. д.). Лазери отримали застосування і в військовій справі. Виробництво приладів КЕ в промислово розвинених країнах сформувалося в велику галузь промисловості. br/>
Література
1. В«НадпровідністьВ»; Павлов Ю.М, Шугаев В.А.
. В«Введення в надпровідністьВ»; Зайцев, Орлов. p align="justify">. В«Надпровідність: фізика, хімія, технікаВ» № 1-6, 1996. p align="justify">. В«Моделювання електронних станів в кристалахВ». Ю.М. Басалаєв, А.Б. Гордієнко, Ю.Н. Журавльов, А.С. Поплавнее. Кемерово, Кузбассвузіздат, 2001. p align="justify">. В«Основи фізики напівпровідниківВ». Ю. Пітер, Кардона М., Фізматліт, 2003. p align="justify">. В«Основи одноелектронної теорії твердого тілаВ». Л.І. Ястребов, А.А. Кацнельсон. М., Наука, 1981. p align="justify">. В«Квантова фізика твердого тілаВ». С.В. Вонсовський, А.А. Кацнельсон. М., Наука, 1983. p align="justify">. В«Квантова теорія кристалічних твердих тілВ». А.Анімалу М., Мир, 1981. p align="justify">. В«Електронна структура та властивості твердих тілВ». У.Харрісон Т.I і II. М., Мир, 1983. p align="jus...
