кові лазери (лазерні діоди ЛД), світлодіоди (СД) і суперлюмінесцентние діоди (СЛД). У ряді експериментальних установок ВОГ, проте, застосовують також гелій-неонові оптичні квантові генератори. Їх використання пояснюється, мабуть, традиційною думкою про те, що в оптиці при вимірюванні фазових співвідношень переважні висококогерентного джерела випромінювань. При використанні гелій-неонових ОКГ його випромінювання можна "декогеріровать" частотної модуляцією, що зменшить вплив зворотного когерентного релєєвського розсіяння, що вносить помилку при вимірюванні кутової швидкості обертання. Більше того, для компенсації ефекту Керра, також вносить помилку, можна застосовувати широкосмугові джерела, що наближаються за своїм спектральним властивостям до теплових джерел. p> Крім того, специфіка конструкції ВОГ пред'являє додаткові вимоги до джерел випромінювання. До них відносять: відповідність довжини хвилі випромінювання номінальної довжині хвилі світловода, де втрати мінімальні; забезпечення достатньо високої ефективності введення випромінювання в світловод; можливість роботи джерела випромінювання в безперервному режимі без охолодження; досить високий рівень вихідної потужності випромінювача; довговічність, відтворюваність характеристик, жорсткість конструкції , а також мінімальні габарити, маса, споживана потужність і вартість.
Найбільш повно цим умовам відповідають напівпровідникові випромінювачі - ЛД, СД і СЛД. Розглянемо деякі характеристики випромінювачів. p> Можливість використання напівпровідникових інжекційних лазерів в якості джерела випромінювання в ВОГ приваблює дослідників і конструкторів насамперед їх малими габаритами і масою, високим ККД, прямий струмового накачуванням, твердотільної конструкцією і низькою вартістю. Крім того, вводячи різні домішки, можна перекривати необхідний діапазон довжин хвиль. p> В даний час створено велику кількість типів напівпровідникових інжекційних лазерів або лазерних діодів (ЛД) на різних матеріалах. Принцип генерації випромінювання ЛД має ряд істотних відмінностей від принципу генерації лазерів інших типів, що насамперед пов'язано з особливостями їх енергетичної структури. p> Розглянемо в загальних рисах технічні параметри ЛД, що дозволить нам оцінити можливість використання тих чи інших структур у волоконно-оптичних гіроскопах з урахуванням вимог накладаються на них. p> У беспримесном напівпровіднику розрізняють такі енергетичні зони: валентну, заборонену і зону провідності. У реальному напівпровіднику потрібно враховувати наявність домішок. Домішки є причиною виникнення додаткових енергетичних рівнів. Донорні домішки створюють рівні поблизу зони провідності, а самі частинки домішки, іонізуючи, додають в збуджену зону (зону провідності) надлишкові електрони. Акцепторні домішки мають рівні поблизу валентної зони. Ці домішки захоплюють електрони з валентної зони, утворюючи в ній надмірна кількість дірок. Число електронів в зоні провідності істотно перевищує число дірок у валент...
