В»2 В), струм насичення можна вибрати, задавшись допустимої потужністю, що розсіюється на колекторному опорі R6. Нехай PR6 = 1 Вт, тоді
, (5.4)
. (5.5)
Струм бази
. (5.6)
Опір резистора в базі
. (5.7)
Вибираємо номінал R5 = 75 кОм.
Ланцюг R3-VD1-R4 забезпечує обмеження вихідного струму фазоінвертора, пропускання на базу VT1 тільки імпульсів негативною (замикаючої) полярності, а також пониження їх амплітуди до значення напруги база-емітер, допустимого для даного типу транзистора. Допустимий вихідний струм мікросхеми К154УД4 Im вих = 25 мА. Струм, споживаний ключовим каскадом ГЛИН, дорівнює 3,5 мА. Задамося імпульсним струмом дільника IвхZ = 1 мА, тоді для негативного імпульсу з амплітудою Um = 10 В опір подільника
. (5.8)
Допустима напруга база-емітер транзистора не більше 5 В. Нехай значення амплітуди замикаючої напруги сигналу на базі VT1 Uбе m = 2 В.
Коефіцієнт розподілу вхідного ланцюга підсилювача
. (5.9)
Тоді
, (5.10)
. (5.11)
Вибираємо номінал R3 = 8,2 кОм.
Ємність С1 призначена для В«розв'язкиВ» за постійною складовою входу високовольтного підсилювача і оберігає фазоинвертор на ОУ від пробою по напрузі при виході з ладу ключового транзистора.
Значення ємності можна розрахувати по допустимому відколу імпульсу D ВЈ 0,01,
, (5.12)
де tи max - максимальна тривалість розгортки,
- постійна часу ланцюга зв'язку.
Знаходимо значення ємності
(5.13)
Вибираємо С1 = 2,2 мкФ на робочу напругу 60 В.
Оскільки транзистор VT1 в початковому стані знаходиться в підсилювальному режимі, затримка вимкнення буде відсутній. Фронт сигналу на виході каскаду
, (5.14)
де t - постійна часу транзистора.
Далі буде проведений розрахунок постійної часу транзистора КТ605А.
Ток емітера дорівнює:
. (5.15)
Розрахуємо опір емітера транзистора:
. (5.16)
Коефіцієнт В«2В» в знаменнику дробу враховує залежність r Е від робочої точки.
Візьмемо типовими r б = 100 Ом, тоді вхідний опір транзистора:
. (5.17)
Крутизна в робочій точці буде дорівнювати:
. (5.18)
Постійна часу транзистора:
. (5.19)
Навантаженням даної схеми служать бланкіруючі пластини ЕПТ, тобто паразитная ємність бланкіруючих пластин щодо інших електродів трубки і паразитная ємність монтажу. Оцінимо вплив ємності навантаження Сн на фронти вихідного сигналу схеми управління. Затягування фронту пов...
