Реферат Схеми управління і обробки вихідного сигналу приладу з зарядовим зв'язком

Тема: Новые рефераты

Відбувається перезаряд накопичувальної ємності. У відсутність імпульсу замкнений і напруга на ємності зберігається постійним до приходу наступного імпульсу. Слід зазначити, що тривалість імпульсів фіксації і вибірки не повинна перевищувати 20 нсекунд, за цей час повинна повністю перезарядитися. З іншого боку, на накопичувальну ємність через паразитне ємність транзистора «просочується» імпульс вибірки (додаток Б на малюнку Б.10, д). Амплітуда цієї перешкоди пропорційна розмаху імпульсів вибірки і відношенню ємностей і:

де - напруга вибірки;

- паразитная ємність затвор-стік транзистора;

- ємність зберігання заряду.

Тобто, чим менше, тим більше тактова перешкода на виході. У схемі передбачена компенсація тактовою перешкоди, для цього через подається імпульс зворотної полярності. За умови рівності ємностей і відбувається компенсація тактовою перешкоди в відеосигналі. Резистор і ємність транзистора утворюють фазокомпенсірующую шину, яка вирівнює форму імпульсів. У результаті є сигнал у вигляді ступеневої напруги, кожна сходинка має тривалість одного елемента і амплітуду, рівну амплітуді повного сигналу (додаток Б на малюнку Б.10, е). Далі цей сигнал надходить на ФНЧ, спектр сигналу обмежується до частоти, що відповідає горизонтальній чіткості преутвореного зображення.

Малюнок 5.1

6. ЕЛЕКТРИЧНИЙ РОЗРАХУНОК ЕЛЕМЕНТІВ БЛОКУ ОБРОБКИ ВІДЕОСИГНАЛУ

У схемі обробки відеосигналу використовуються транзистори КТ315Г і КП303Б з наступними параметрами. Параметри біполярного транзистора КТ315Г наступні:

максимальний струм колектора мА;

коефіцієнт передачі струму;

зворотний струм колектора мкА;

ємність колекторного переходапФ;

напруга відсічення В.

Польовий транзистор КП303Б має наступні параметри:

крутизна характеристики мА / В;

струм стоку мА;

прохідна ємність польового транзистора пФ;

вихідна ємність польового транзистора пФ;

напруга відсічення польового транзистора В;

максимальний струм стоку мА;