й процес даного методу складається з таких технологічних циклів:
перший цикл - напилювання на сіталловимі підкладку (СТ 50-1), першого суцільного резистивного шару;
другий цикл - нанесення поверх першого шару другого шару матеріалу провідників і контактних майданчиків (див. рис. 5.1.1, б);
третій цикл - перша фотолітографія для формування конфігурації провідників і контактних майданчиків;
четвертий цикл - друга фотолітографія для формування плівкових резисторів;
п'ятий цикл - використовується метод знімною маски в безперервному вакуумному процесі напилення нижніх обкладок конденсаторів, діелектрика конденсаторів, верхніх обкладок конденсаторів (див. рис. 5.1.1, а), а також формується через відповідну знімну маску захисний діелектричний шар ІМС (в даному випадку обрано негативний фоторезист ФН - 108с характеристиками, наведеними в таб. 1.2.4).
Прикінцеві технологічні операції
Після отримання необхідного малюнка слідують заключні операції:
- Лудить контактних майданчиків;
- Контроль і підгонка резисторів;
- Установка і розпаювання компонентів;
- Установка плати в корпус і розпаювання висновків;
- Герметизація;
- Вихідний контроль.
ВИСНОВОК
Для сучасного етапу розвитку інтегральної електроніки характерні тенденції подальшого підвищення робочих частот і зменшення часу перемикання, збільшення надійності, зниження витрат на матеріали і процес виготовлення ІС.
Зниження вартості ІС вимагає розробки якісно нових принципів їх виготовлення з використанням процесів, в основі яких лежать близькі характером фізико-хімічні явища, що, з одного боку, є передумовою для подальшої інтеграції однорідних технологічних операцій виробничого циклу і, з іншого боку, відкриває принципові можливості управління всіма операціями від ЕОМ. Необхідність якісних змін у технології та технічного переозброєння галузі диктується також переходом до наступного етапу розвитку мікроелектроніки - функціональної електроніці, в основі якої лежать оптичні, магнітні, поверхневі та плазмові явища, фазові переходи, електронно-фононні взаємодії, ефекти накопичення та переносу заряду та ін
Критерієм «прогресивності» технологічного процесу поряд з поліпшенням параметрів і характеристик самого виробу є висока економічна ефективність, обумовлена ??низкою приватних, взаємопов'язаних критеріїв, що забезпечують можливість побудови комплектів повністю автоматизованого високопродуктивного обладнання з тривалим терміном експлуатації.
Найбільш важливими приватними критеріями є:
- універсальність, тобто можливість проведення всього (або переважного числа операцій) виробничого циклу за допомогою одних і тих же технологічних прийомів;
- безперервність, яка є передумовою для подальшої інтеграції (об'єднання) цілого ряду технологічних операцій виробничого циклу, поєднується з можливістю використання одночасної груповий обробки значної кількості виробів або напівфабрикатів;
- висока швидкість проведення всіх основних операцій технологічного процесу або ж можливість їх інтенсифікації, наприклад, в резу...
