ми з передплужниками ПН-4-35 А, ПКУ-4-35, ПНД-30. p align="justify"> Якщо щорічно оранка проводиться на одну і ту ж глибину, грунт сильно ущільнюється і утворюється плужна підошва, тому глибину оранки періодично змінюють, використовуючи почвоуглубітелямі або двоярусну оранку.
Глибина оранки під овочеві культури повинна бути не менше 25 см. Якщо не дозволяє орний горизонт (на дерново-підзолистих грунтах), то проводять поступове його збільшення за рахунок окультурення підорного горизонту, з обов'язковим внесенням органічних, мінеральних добрив і вапна матеріалів.
Збільшення потужності орного шару може бути здійснено наступними способами.
Поступове приорювання нижчого шару з наступним його перемішуванням з орним горизонтом. На грунтах з потужністю орного шару в межах 20 см і наявністю підзолистого горизонту орний шар поглиблюють на 3 - 4 см з одночасним внесенням органічних і мінеральних добрив, а також вапном матеріалів. При поглибленні орного горизонту на 1 см необхідно внести 8 - 10 т/га органічних добрив, вапна і мінеральних добрив.
Повне огортання грунту орного шару з одночасним розпушуванням підорного і залишенням його на колишньому місці. Глибина розпушування підорного горизонту при цьому становить 8 - 10 см. Такий спосіб ефективний на підзолистих грунтах з сильно ущільненим підорним шаром, а також на перезволожених з Оглеєні горизонтом. При проведенні поглиблення вносять органічні добрива, доломітове борошно або вапно, щоб під час проведення оранки сталося перемішування їх з грунтом підорного горизонту. p align="justify">. Глибоке розпушування грунту підорного шару, що передбачає залишення гумусового горизонту і частини рослинних залишків на поверхні поля, а також створення мульчирующего шару. При глибокому розпушуванні відбувається деяке перемішування грунту гумусового горизонту з грунтом підорного шару, що покращує властивості останнього. p align="justify"> Поглиблення орного горизонту значно підвищує врожайність овочевих культур і знижує засміченість грунту. Для дерново-підзолистих грунтів поглиблення орного шару з одночасним внесенням органічних і мінеральних добрив і вапна матеріалів підвищує родючість і покращує структуру підорного горизонту. На торфовищах воно сприяє більш швидкому розкладанню органічних речовин і переходу їх у засвоювані для рослин форми. p align="justify"> Для запобігання утворення плужної підошви, яка перешкоджає газообміну в зоні росту кореневих систем, проникненню коренів у нижні шари грунту і сприяє застою води, один раз на 2 - 3 роки зяблеву оранку проводять глибше, а при можливості змінюють напрям оранки. Після зяблевої оранки проводять планування поля довгобазова планировщиками по діагоналях поля у два сліди. При рано проведених роботах на полях починають відростати сміттєві рослини, які знищують під час проведення культивації. p align="justify"> На зрошуваних землях ...
