ження (таблиця 2.2) свідчіть, что при легуванн?? окрем компонентами, параметри решітки кремнію змінюються незначним. Альо при комплексному легуванні Sn-B и Мо-B спостерігається Значне Зменшення параметрів гратки кремнію: Параметри решітки кремнію, легованої Sn-B, складає 5,41997?, А Мо-B - 5,42936?, А параметр решітки ЕТАЛОН теплоход кремнію складає 5,43399? (Зміни параметра спостерігаються Вже в іншому знаку после комі). Настількі Значне Зменшення параметра гратки легованих кремнію может свідчіті про прісутність фаз кремнію, котрі мают більш щільноупаковані гратки, чем Si ГЦК алмаз.
Таблиця 2.1 - Мікротвердість Cz-Si
Cz-Si + легуючі елементіН m, МПаматріцядіслокаційні областінадлішкова фазаCz-Si6100-72004600-6600-Cz-Si-Al5000-78004000-6500-Cz-Si-Cu5000-9300--Cz-Si-B6500-78005700-7000-Cz-Si-Sn67004500-6500-Cz-Si-G71505600-6500-Cz-Si-Mo+B86505100-70005150-6700Cz-Si-Sn+B7000-9200--Cz-Si-Hf6000-95007200-7600-Cz-Si-Zr6000-85006500-8500-
Таблиця 2.2 - дані рентгеноструктурного АНАЛІЗУ зразків легованих напівпровіднікового монокрісталічного кремнію
ЗразокПоложення максімумуЗміщення, q, град 2 q, град q СР, градHKL d,? a,? Cz-Si еталон34,30,7146136,714668,35735330,8286765,43399Cz-Si+B33,30,6938136,693868,34695330,8287355,43438Cz-Si+Sn34,6 35,20,72086 0,73333136,7209 136,733368,3608 68,3866533 5330,8286385,43374Cz-Si+Ge34,6-136,716168,35795330,8286725,43396Cz-Si+Zr21.2-136,760468.38025330.8285435.43312Cz-Si+Hf22.15-136,758668.39045330.8285455.43317Cz-Si+Sn+B19,2 19,5 66,30,4031 1,38125137,392268,69915330,8262295,41991 Cz-Si + Mo + B30, 850,7635136,961468,48075330,8279695,42936
2.2 Структура та Властивості легованих кремнію после полного цикла нагрів-охолодження
Технологічний процес виготовлення напівпровідніковіх пріладів пов язаний з короткочаснім впливим на них вісокої температури. Так само при ЕКСПЛУАТАЦІЇ на Напівпровідникові прилади допускається короткочасній Вплив вісокої температури. Особливий Інтерес при дослідженні структурованих та властівостей напівпровіднікового кремнію мают дані, что Отримані после нагріву-охолодження в камері дилатометр.
На малюнках 2.3 - 2.9 наведені мікроструктурі Cz-Si, легованих дослідженімі в работе елементами после полного цикла нагрів-охолодження в камері (20-1000 ° С) дилатометра.
На малюнку 2.3 наведена мікроструктура нелегованого Cz-Si после полного цикла нагрів-охолодження в камері дилатометра. Звертає на себе уваг тієї факт, что нагрів напівпровіднікового нелегованого кремнію виробляти до істотної Зміни мікроструктурі теплоход в порівнянні з мікроструктурою в початкових стані: спостерігається наявність двійніковіх областей и областей з підвіщеною щільністю діслокацій. Зміна мікроструктурі теплоход свідчіть про реалізацію структурних и фазових перетвореності з різнім ступенів завершеності, что пройшли в результаті нагріву й охолодження в камері дилатометра.
На малюнку 2.4 представлені мікроструктурі Cz-Si, легованих алюмінієм и міддю после полного цикла нагрів-охолодження в камері дилатометра. Рисунок 2.4, а віявляє наявність Яскраве віраженої блокової (або мозаїчної) структури, яка формується в процесі нагріву в результаті структурних змін и фазових перетвореності, что супроводжуються про «ємнімі змінамі. При цьом розмір блоків Cz-Si, ...
