ілька десятків наносекунд - досить швидко навіть за сучасними мірками. Більше того, авторам вдалося створити і продемонструвати в роботі справжнісінький трехбітний зсувний регістр (рис. 14) - можливо, на його основі через 6-7 років буде побудована повноцінна пам'ять В«на біговій доріжціВ». <В
Рис. 14. Трехбітний односпрямований зсувний регістр на основі магнітних доменних стінок. p align="justify"> - зображення магнітної нанопроволоки (В«бігової доріжкиВ»), з'єднаної з електричними контактами, за якими подаються наносекундні імпульси для зрушення доменних стінок і вимірюється опір. Дані кодуються напрямками намагніченості для трьох доменів - B1, B2 і B3, що знаходяться між підводять контактами. B - зміна опору доріжки в залежності від серії імпульсів, що використовуються для запису і зсуву вздовж регістра послідовності 010111. Значення опору В«відчуваєВ» дискретну величину - кількість доменних стінок на дроті між контактами. Світлі та портьєри області вказують на операції запису і зсуву відповідно. Таблиця, розташована під графіком, показує відповідну еволюцію станів бітів протягом операцій. Виділені кольором цифри показують, як послідовність вхідних бітів трансформується у вихідний сигнал після двох операцій В«запис-зрушенняВ». C - пояснення до сдвиговой операції. Чорні та білі прямокутники представляють доменні стінки, утворені сходяться і розходяться напрямками векторів намагнічування відповідно. Чорні стрілки вказують напрям намагніченості в межах одного домену. Сині та червоні стрілки показують напрямок руху електричного струму в записувальному контакті
Перед початком запису за допомогою досить сильного магнітного поля вся доріжка намагнічується в одну сторону (тобто записана послідовність одиниць). Потім за допомогою імпульсного генератора через поперечний контакт (рис. 14А, ліворуч) пропускається струм тривалістю 10 нс. Залежно від його напряму і намагніченості доріжки безпосередньо під ним може утворитися або утворитися нова доменна стінка. Другий такий імпульс, тривалістю вже 70 нс, протікаючи вздовж доріжки, зміщує стінки на довжину одного біта. Цикл В«запис-зрушенняВ» повторюється, і в підсумку виникає послідовність логічних нулів та одиниць, як показано на рис. 14 (B і C). br/>
.2.4 Перспективи та проблеми
Що обіцяє створення нового класу пам'яті? По-перше, через відсутність рухомих частин (і навіть рухомих атомів) це буде швидка, довговічна і в перспективі дешева незалежна пам'ять. По-друге, якщо на двовимірної підкладці створити В«лісВ» вертикальних нанопроволочек (див. рис. 15) і на кожній записати не один, а багато бітів, то вийде пам'ять з справжнім тривимірним зберіганням даних. Саме тому автор розробки вважає, що ця технологія незабаром перевершить по щільності запису традиційні носії. br/>В
Рис. 15. Проект масиву бігових доріжок для високощільної тривимірного запису...
