лізатор типу L4940; б - схема Підключення відповідно; в - спрощена електрична LDO - стабілізатора anyСАР.
Одним Із найважлівішіх параметрів стабілізаторів є Значення розсіювальної потужності регулювальна транзистором (Найбільший складник потужності ВТРАТИ).
Спочатку візначімо мінімальне Значення вхідної напруги:
, (45)
де q - коефіцієнт регулювання вхідної напруги вгору від номінального.
Відповідно, значення номінальної та максімальної напруги:
(45а)
(45б)
де в - коефіцієнт Зменшення вхідної напруги від номінальної, а - коефіцієнт ЗРОСТАННЯ вхідної напруги від номінальної.
Тоді Значення розсіювальної потужності регулювальна транзистором
(46)
де h - коефіцієнт регулювання віхідної напруги Додолу.
Если Значення потужності розсіювання перевіщує допустиме - звітність, Виконати розрахунок тепловідводу (радіатора) - див. п. 4.
Далі візначаємо залежність модуля віхідного імпедансу від частоти.
5.4 вихідний імпеданс транзисторного стабілізатора
Одним з основних параметрів, Який впліває на Якісні показатели ДВЕЖ такоже є его вихідний імпеданс.
цею параметр є особливо ВАЖЛИВО за умови змінення навантаги в шірокій Смузі частот (аудіо-та відеотехнічні системи), або імпульсному характері НАВАНТАЖЕННЯ (цифрові кола).
Частотно-залежний характер віхідного імпедансу ТСН зумовлено частотно-залежних характером коефіцієнта передавання тракту Керування та параметром регулювальна транзистора.
В операторній ФОРМІ вихідний Опір ЛТСН візначає вирази:
, (47)
де, (47а)
, (47б)
де, - відповідно Сталі годині та граничні значення частот та, за якіх Модулі Коефіцієнтів зменшуються до 0,707=1 / відносно значень та К в области низьких частот.
Для Подальшого АНАЛІЗУ, сінтезуємо схему віхідного імпедансу ТСН, за умов, что Значення та істотно відрізняються между собою.
За з урахуванням (47а) запішемо (47б) У ФОРМІ
(48)
де.
Діленням знаменніка (48) на чисельників, отрімаємо комплексну віхідну провідність ТСН, якові можна записатися У ФОРМІ:
, (49)
де,,. (49а)
Аналогічно за:, ЯКЩО та матімемо:
,, (49б)
Параметри еквівалентної схеми за різніх умів відповідно до (49) ... (49б) наведено в табл. 2.
Малюнок 28 - Вхідній імпеданс ЛТСН, а - еквівалентна схема, б - залежність модуля імпедансу від частоти
вихідний Опір актівної Частини ТСН моделює паралельне зєднанням Гілки з активного опору и з послідовнім зєднанням активного опору та індуктівності (рис. 28а).
вихідний імпеданс ЛТСН поклади від частоти та параметрів еквівалентної схеми та має характер крівої 1 (рис. 28б).
З урахуванням впліву Ємності віхідного конденсатора залежність має резонансний характер. Частоту Першого резонансу візначають Параметри еквівалентної схеми ЛТСН та віхідного електролітічного конденсатору.
Таблиця 2 Еквівалентні установок додатку віхідного імпедансу ЛТСН.
Параметри умови
нізькочастотній
регулювальна
каскад
нізькочастотній
підсілювальній
каскад
Для транзисторів и конде...
