Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Статьи » Установка для комплексного дослідження деградації гетероструктур світлодіодів

Реферат Установка для комплексного дослідження деградації гетероструктур світлодіодів





класу точності ширина провідника tmin за даними таблиці 5.2 дорівнює 0,75 мм. З урахуванням подтрава провідного шару і обраних технологій виготовлення згідно (5.6) визначаємо мінімальну ефективну ширину друкованого провідника tефф min:

tефф min=0,75 + 1,5? (0,04 + 0,050) + 0,03=0,915 мм.


За малюнком 4.3 визначаємо, що навантажувальна здатність по струму при нагріванні на 10 ° С для провідника шириною 0,915 мм і товщиною 35 мкм становить близько 2,2 А. При цьому щільність викликаного струму через цей провідник складе 66,3 А/мм2, що нижче допустимих густин струму, зазначених у таблиці 5.10.

Згідно схемотехническим вимогам до ПУ, виявленим при аналізі електричної принципової схеми, найбільш навантаженими елементами схеми є транзистор VT1. Струм споживання схеми (зокрема транзистором VT1) при максимальній напрузі живлення (Uжив=27 В) в робочому режимі складе Iпотр=4 А. Отже провідник шириною 0,915 мм буде нагріватися на 20 ° С. Щоб уникнути перегріву провідників в ланцюгах харчування і вихідних каскадах схеми, слід збільшити їх ширину до 1 мм.

За малюнком 5.3 визначаємо, що навантажувальна здатність по струму при нагріванні на 10 ° С для провідника шириною 1 мм і товщиною 35 мкм становить близько 2,2 А. При цьому щільність викликаного струму через цей провідник складе 60 А/мм2, що нижче допустимих густин струму, зазначених у таблиці 5.10.

Розрахунок відстані між елементами друкованого малюнка.

Мінімальна відстань між центрами елементів друкованого малюнка Smin визначається виходячи з технологічних можливостей виробництва ПП (роздільна здатність), умов зборки ПУ (автоматизована або ручна) і електричних параметрів (пробивної напруги і опору ізоляції). Технологічні обмеження Smin задаються класом точності (таблиця 5.2), а електричні - зазначенням в ТЗ пробивної напруги, допустимих струмів витоку і т.д.

Відстань між серединою провідника і центром КП L0 визначається за формулою:


Де Tl - позиційний допуск розташування друкованого провідника щодо сусіднього елемента проводить малюнка;

Dmax - діаметр КП з урахуванням допуску при виготовленні;

tmax - ширина друкованого провідника з урахуванням допуску при виготовленні.

Значення позиційного допуску розташування друкованого провідника щодо сусіднього елемента проводить малюнка Tl наведені в таблиці 4.11.


Таблиця 4.11 - Значення позиційного допуску розташування друкованого провідника

Вид ізделіяРазмер ПП по більшій стороні, ммЗначеніе позиційного допуску розташування Tl, мм, для класу точності12345ОПП; ДПП; МПП (зовнішній шар) До 180 вкл.0,350,250,150,100,05Св. 180 до 360 вкл.0,400,300,200,150,08Св. 3600,450,350,250,200,15

Діаметр КП з урахуванням допуску при виготовленні Dmax розраховується за формулою:


Dmax=Dmin + (0,02 ... 0,06).


Ширина друкованого провідника з урахуванням допуску при виготовленні tmax розраховується за формулою:


tmax=tеффmin + (0,02 ... 0,06)

Згідно (5.7) відстань L0 між серединою провідника і центром КП мінімального діаметра (2,0 мм) дорівнюватиме:

мм.

Відстань L0 між центрами двох КП визначається за формулою:


L0=Smin + Dmax + 2? Tl


Згідно (5.10), відстань L0 між центрами двох КП дорівнюватиме:

L0=0,45 + (2 + 0,02) + 2? 0,25=2,97 мм.

Відстань між центрами КП мікросхем дорівнюватиме 2,5 мм.

Відстань L0 між центрами двох провідників визначається за формулою:


L0=tmax + 2? Tl


Згідно (5.11), відстань L0 між центрами двох провідників дорівнюватиме:

L0=(0,56 + 0,02) + 2? 0,25=1,1 мм.

Пробивна напруга між елементами провідного малюнка для заданих відстаней L0, матеріалу підстави ПП СФ - 1-35 і умов експлуатації по ТЗ розташованими в одному шарі, становить 600В. Отже, додаткових заходів щодо забезпечення електричної міцності (покриття діелектричними лаками, збільшення номінального значення параметра S) не потрібно.


4.7 Аналіз можливості автоматизованої зборки друкованого вузла


Аналіз можливості автоматизованої зборки ПУ проводиться згідно ОСТ 4ГО.010.223-82.

Монтаж електричний друкований РЕА. Технічні вимоги до монтажу осередків. Дані оформлені у вигляді таблиць. Вимоги до конструкції зведемо в таблицю 4.12.


Таблиця 4.12 - Вимоги до конструкції

Вимоги до конструкції ПП. Оформлення документації на ПП здійснюється згідно з ГОСТ 2.109-73, ГОСТ 2.302-68, ГОСТ 2.417-78 та чинним нормативно-технічним документам.ДаДля виготовлення ПП застосовується склотекстоліт фольгований СФ - 1-35 за ГОСТ 10316...


Назад | сторінка 19 з 35 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розробка конструкції друкованого вузла блоку електронного регулювання струм ...
  • Реферат на тему: Розробка друкованого вузла електронної схеми підсилювача
  • Реферат на тему: Проектування конструкції друкованого вузла
  • Реферат на тему: Розробка конструкції друкованого вузла модуля за принциповою схемою в систе ...
  • Реферат на тему: Створення друкованого вузла вимірювача швидкості