сонячні елемнті з pin-структура зараз застосовуються в самих різніх областях Завдяк можли-ності їх виготовлення на металевій фользі, например з нержавіючої сталі, и полімерних пл? нках, снабж? нніх МЕТАЛЕВИЙ ПОКРИТТЯ. Використання таких підкладок сумісно з технологією масового виробництва Гнучкий Сонячних елементів. Тому елементи даного типу відносяться до найбільш перспективним перетворювачів Сонячної ЕНЕРГІЇ найближче майбутнього. Основною проблемою, пов язань з a-Si СОНЯЧНЕ елементами, є їх сильна деградація при опроміненні СОНЯЧНЕ світлом, что обумовлено ефектом Стейблер-Вронська. Даній ефект Полягає у вінікненні метастабільніх дефектів в аморфному кремнії при впліві на него СОНЯЧНЕ світлом, что обумовлено трансформацією Електрон станів около валентної зони и формуваня відповідніх колівальніх зв язків (danling bonds) raquo ;, на что акумулюється Деяка частина ЕНЕРГІЇ погліненого-го світла. Тому при розгляді a-Si Сонячних елементів звічайні-но оперують початково, а стабілізованімі характеристи-ками, вімірюванімі после Витримка сонячного Елемент під впливів-наслідком сонячного випромінювання течение НЕ менше чем 10-3 годин.
Виробництво a-Si Сонячних елементів находится Вже на й достатньо Високому технологічному Рівні. У якості основного технологічного процесса вікорістовується тонкопл? нічна технологія плазменно-підтрімуваного осадженим хімічніх парів Із Кремній и германій містять сумішей (SiH4, Si2H6, GeH4). Таборували на 2005 рік річне виробництво a-Si Сонячних елементів и модулів склалось более 19 МВт, основними частина якіх-го пріпадає на фірми USSC, BP ??Solarex, Cannon, Sanyo, Energy PV. При середній ефектівності Сонячних елементів до 13% и модулів до 10% 77-80. Основні характеристики Деяк Сонячних елементів на Основі кремнію (монокрісталічного з-Si, мікрокрі-сталліческого mс-Si, тонкопл? Нічного tf-Si и аморфного a-Si) представ-лені в табліці 3.1.В цілому a-Si є й достатньо перспективним матеріалом для Сонячних елементів з відносно високим ККД, низька собівартістю и малою витрати матеріалу за рах? т значний меншої товщини поглінаючого кулі, чем у решті Сонячних елементів на Основі кремнія.Едінственная І, мабуть, головна проблема: деградація a-Si впроцессе ЕКСПЛУАТАЦІЇ, что значний мірі зніжує ККД СЕ и не дозволяє застосовуваті їх при наявності сильних іонізуючих віпромінювань (например, в космосі). Крім того, отработанность техно-логічніх процесів Нанесення a-Si залішає значній мірі зніжує ККД СЕ и не дозволяє застосовуваті їх при наявності сильних іонізуючих віпромінювань (например, в космосі). Крім того, отработанность техно-логічніх процесів Нанесення a-Si залішає відкрітім для раціо-налізації Виключно конструктівні Особливостігри аморфних Сонячних елементів (введення НОВИХ сло? В і переходів, легування ня и т. П.). При цьом Підвищення ККД позначається на собівартості елемента за рах? т Введення Додатковий технологічних операцій для нанесення НОВИХ сло? в. значній мірі зніжує ККД СЕ и не дозволяє застосовуваті їх при наявності сильних іонізуючих віпромінювань (например, в космосі). Крім того, отработанность техно-логічніх процесів Нанесення a-Si залішає відкрітім для раціо-налізації Виключно конструктівні Особливостігри аморфних Сонячних елементів (введення НОВИХ сло? В і переходів, легування ня и т. П.). При цьом Підвищення ККД позначається на собівартості елемента за рах? т Введення Додатковий технологічних операцій для нанесення НОВИХ шарів.
4. Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на Основі кремнію
У зв язку з обострения проблеми, пов'язаної з дефіцітом вікопного пального, неурегульованості цен на него, порушеннях балансу екосистеми активно віконуються розробки з пошуку Високоефективний та Екологічно Чистий альтернативних джерела енергії. Серед відновлюваніх джерела енергії ті, Які базуються на фотоелектрічному перетворенні Сонячної ЕНЕРГІЇ можна розглядаті як найбільш перспектівні [1]. Для превращение Сонячної ЕНЕРГІЇ в ЕЛЕКТРИЧНА активно Використовують фотоелектрічні системи (ФЕС), Які віробляють Постійний електричний струм во время їх освітлення Сонячно Променю та превращаются его у змінний помощью інвертора. Таким чином, електрична енергія может буті Використана для живлення локального НАВАНТАЖЕННЯ або перерозподілена з ЗАГАЛЬНІ МЕРЕЖІ. Однією з складових ФЕС є фотоелектрічні модулі (ФЕМ), Які збіраються з окремим фотоелектрічніх приладів (ФЕП) [2]. ФЕП, что перетворює енергій фотонів сонячного світла у ЕЛЕКТРИЧНА надалі будемо назіваті СОНЯЧНЕ елементом (РЄ). Під дією світла у pn переході РЄ генерується напряжение 0.5? 0.7 В [3]. РЄ, что віготовлені на Основі монокрісталічного Кремній, мают краще поєднання ціна-ефектівністі-годину ЕКСПЛУАТАЦІЇ среди других подібніх елементів серійного виробництва.
У розділі розповідається розрахунково модель та розрахунки електричних характеристик РЄ, Які були...
