відкриває можливості для створення нових типів приладів мікроелектроніки. Важливе місце серед таких приладів займають транзистори з проникною базою, поява яких стало можливим завдяки розробці методів епітаксійного росту плівок. Крім того, у міру зменшення розмірів приладів все більшого значення набувають нові технологічні методи виготовлення субмікронних структур. p align="justify"> Ще одним перспективним способом поліпшення параметрів створюваних приладів є розробка нових приладових структур, що використовують нетрадиційні процеси перенесення носіїв. Найбільш відомим підходом для реалізації таких властивостей є зменшення розмірів приладів, що дозволяє використовувати переваги явищ перевищення швидкості насичення або балістичних явищ переносу. В даний час досліджується можливість створення таких умов переносу і в приладах з вертикальною структурою. Інша можливість змінити процес переносу носіїв - використання стиснення траєкторій руху електронів. На цьому принципі заснована робота деяких приладів з селективно легованими гетероструктурами. br/>
а) Прилади, що працюють на основі квантового розмірного ефекту
Удосконалення технології вирощування матеріалів А III В V дозволило створити принципово нові типи приладових структур. Наприклад, за допомогою методів МЛЕ і епітаксії з парів металоорганічних сполук вдається вирощувати гетероструктури, у яких товщина шарів порівнянна з довжиною хвилі де Бройля електронів, що знаходяться в зоні провідності. Рух електронів в таких структурах квантуется по дискретним станам. Використання подібних структур з потенційними ямами дозволило значно поліпшити параметри напівпровідникових лазерів.
б) Резонансний тунельний діод
Принцип роботи діода також заснований на тунельному ефекті, обумовленому кванто-механічними явищами.
Звичайні діоди при збільшенні прямої напруги монотонно збільшують пропускається струм. У тунельний діод квантово-механічне тунелювання електронів додає горб в вольтамперних характеристику, при цьому, за високого ступеня легування p і n областей, напруга пробою зменшується практично до нуля. p align="justify"> Резонансні тунельні діоди знаходять широке застосування в якості генераторів і високочастотних перемикачів.
Висновок
Ця курсова робота присвячена будовою і властивостями напівпровідникового матеріалу групи А III В V - GaAs, а також перспективам розвитку технології виготовлення приладів на його основі.
Історія розвитку технології GaAs багата яскравими прикладами створення нових методів виготовлення напівпровідникових матеріалів, нови...
