ю з масками (для деталей аж в 200 мікрон), травлення і дифузію. Тоді ж зробили і перший польовий транзистор - саме такі (в мільярдних кількостях) знаходяться в сучасних чіпах. І ще одне маловідоме, але абсолютно революційне відкриття: в 1954 р Чарлз Лі з Bell Labs виготовив транзистор з базою товщиною всього в 1 мікрон і виявив, що він може працювати на частоті до 170 МГц, що вдесятеро швидше тодішніх аналогів [2, c. 31]. У 1952 р британський електронник Джеффрі Даммер опублікував ідею про інтегральної схемою (ІС) як про «твердому бруску без з'єднують проводів». У 1956 р Даммер спробував зробити перші мікросхему, але невдало. Через 2 роки нещодавно прийнятий в TI молодий інженер Джек Кілбі майже поодинці сидів все літо в лабораторії мініатюризації, т. К. Компанія не відпустила його в поки ще не зароблений відпустку. 24 липня 1958 Кілбі написав у своєму записнику, що якщо елементи електричної схеми (резистори, конденсатори і транзистори) зробити з одного матеріалу, то вони можуть бути поміщені на загальну пластинку (на сленгу - «вафлю», причому в оригіналі йдеться тільки так: wafer). А 12 вересня Кілбі побудував першу ІС з п'яти елементів, що виконує роль генератора - хоча вона ще не була однокристальної. Дивно, що «нобелівки» за це досягнення треба було чекати до 2000 г.Ізобретеніе Кілбі мало великий недолік - компоненти схеми з'єднувалися золотими проводками, що робило технологію малопридатною до подальшого зменшення, ускладнення і масового виробництва. Однак до кінця цього ж 1958 Жан Ерні з Fairchild продемонстрував розміщення в кремнії областей з надлишком електронів і дірок, разом складових pn-перехід, над яким розташовувався ізолятор з діоксиду кремнію. В ізоляторі протравлено отвір, який заповнюється алюмінієм, утворюючим контакт. А чеський фізик Курт Леховец з каліфорнійської компанії Sprague Electric здогадався використовувати pn-перехід як ізолятор [3]. Нарешті, в 1959 р Роберт Нойс з Fairchild об'єднав обидві ідеї з можливістю напилювати тонкий шар металу на схему. Цей шар потім вибірково витравлюють, отримуючи одночасно всі необхідні межсоединения, що зробило можливим виготовлення більш складної схеми за кілька кроків. Так був винайдений планарний технологічний процес.
Правда, поки цей процес підходив лише для виготовлення окремих кристалів. Але вже тоді стало ясно, що мікросхем знадобиться не менше, ніж дискретних елементів, а значить їх виробництво має бути більш масовим. На щастя, в 1958 р Джей Лест і Роберт Нойс побудували один з перших Фотоповторювачі, які давали можливість на одну пластину проектувати безліч копій маски. А в 1961 р випущені перші промислові Фотоповторювачі зі зменшенням зображення - тепер маску можна зробити в 5-10 разів більше, що спрощувало процес її підготовки. Маски виготовлялися перенесенням виконаних на прозорій плівці креслень на лист рубіліта, в рубіновому шарі якого координатографи напівручному способом гравировал відбиток. Самі чіпи виготовлялися з пластин діаметром всього 13? мм, введених в 1960 р Право називатися першої комерційної оскаржують мікросхеми Fairchild і Texas Instruments. До речі, Вільям Шоклі також досяг масового виробництва свого діода, але так і не домігся успіху - тому що з'явилися мікросхеми, де 3-6 транзисторів могли замінити такий діод. Втім, всі мікросхеми поки робилися з біполярними транзисторами, і якби так залишалося й надалі - не бачити б нам ніяких персоналок і мобільників. Але в 1959 р Джон Аталла і Девон Канг з Bell Labs виготовили польовий транзистор з ізольованим затвором, чого не могли добитися з 1926 р, коли був відкритий польовий ефект і вказано його недолік - поверхневі хвилі в металі не дозволяли проникати полю затвора в канал. Вийшов всім сьогодні відомий «бутерброд»: металевий (Al) затвор, подзатворного оксид (SiO2) і канал-напівпровідник (Si). І хоча перші два елементи вже давно робляться з інших матеріалів, ми все ще називаємо це МОП-транзисторами. А в 1960 р в Bell Labs винайшли ще один потрібний для масового виробництва процес - епітаксіальне осадження тонкого шару на кристалічній підкладці, знову виявивши, що мала товщина бази прискорює біполярний транзистор. У 1958 р інженер Сеймур Крей (вже тоді вважалися експертом з комп'ютерів) влаштувався в компанію Control Data Corporation (CDC) на посаду головного розробника і одразу попросив фірму General Transistor виготовити швидкий германієвий транзистор для своєї машини CDC +1604, що стала в 1960 р одним з перших комерційно успішних діод-транзисторних комп'ютерів (після IBM-івських моделей 1401 і 7090). Далі Крей задався метою побудувати найшвидший у світі комп'ютер (майбутній CDC +6600), для чого йому потрібен був транзистор з часом перемикання менш 3 нс і здатністю витримати перегрів (бо високощільний монтаж в електроніці - теж не сьогоднішній винахід). P-канальні польові транзистори (у більшості з них канал між джерелом і стоком відкритий при негативному напрузі на затворі щодо витоку) в той час виходили повільніше б...
