n="justify"> Імовірно підсилювач низьких частот буде реалізований на трёхкаскадной структурі. Крайовий каскад я попередньо я планую реалізувати на парі компліментарних транзисторів зі схожими характеристиками і близькими за значенням параметрами.
предоконечному каскад, є сполучною між кінцевим і вхідним, так як може бути, що вхідний опір кінцевого каскаду буде дуже мало. Предоконечний каскад буде реалізований на базі якого-небудь транзистора. Вхідний каскад буде грунтуватися на ІМС, яка буде обрана в ході розрахунків.
Між отриманими каскадами я розміщу розділові конденсатори, щоб запобігти попаданню постійних складових з одного каскаду в іншій.
1. Розрахунок кінцевого каскада
Вибір транзисторів, по допустимій потужності розсіювання на колекторі, і максимальній амплітуді колекторного струму:
? (0.25? 0.3) Pвих Рmax? (0.275? 0.33) (Вт)
За цими параметрами вибираємо транзистори для кінцевого каскаду:
КТ814А і КТ815А нижче наведені їх параметри:
Ikmax=1.5 (A) Uкеmax=25 (B)=1 (Bт) h21=40 - 70
Вибір джерела живлення:
Е? 2 (Uнач + U mн)=9 (B) Еп? 2 (0,5 + 3,92)=8,84 (В)
Еп? 8,84 (В) отже вибираємо харчування Еп=9 (В)
Графоаналитический метод:
Uке=Еп/2=9/2=4,5 (B) Ік=Еп/2Rн=9/(2 * 7)=0,64 (A)
У системі координат вихідної характеристики будуємо трикутник потужності: пряма Uнач. відсікає область суттєвої нелінійності струмів бази, від Uнач. відкладаємо величину Uке, потім з'єднуємо точки Ік і Uке. Далі будуємо Рк доп- нагрузочная крива, яка в даних розрахунках не повинна заходити в область трикутника потужності, але максимально наближатися до нього. З цього випливає, що транзистори працюють без радіаторів.
Рис.1 Сімейство вихідних характеристик транзистора КТ814 (815) А
Рис.2 Вхідна характеристика транзистора КТ814 (815) А
Визначаємо робочу область за вхідною характеристиці.
Iбmin=0,25 (mA) Uеб0=0,7 9 (B)
Iбmax=15 (mA) Uебmax=0,87 (B)
D Imб=14,75 (mA) Umб=0,17 (B)
Визначаємо глибину ООС:
=1 + g21 * Rн
де g21 усереднена крутизна характеристики транзистора.
F=1 + 3,29 * 7=24,03
Розрахуємо дільник напруги для вихідного каскаду:
Iдел=(3? 5) Iб0; Iдел=(0,75? 1,25) (mA)
Отже вибираємо струм дільника рівний Iдел=0,75 (mA)
згідно ряду Е24
Iдіода=Iдел + Iб0; Iдіода=0,75 + 0,25=1 (mA)
При цих токах падіння напруги на діодах має становити: 2 Uеб0=1.4 [B]
Включення двох діодів КД - 514А послідовно, забезпечать необхідну падіння напруги.
рис.3 Вольтамперная характеристика діода КД - 514А
Розрахунок вхідного опору з урахуванням ООС:
; де;
Расчитаем амплітудні значення на вході:
; ;
Побудуємо наскрізну характеристику:
Вибираємо Rг=150 (Om)
Іб, (mA) Ік, (mA) Uеб, (B) Iб * Rг (B) Eб=Іб * Rг + Uеб, (B)0.25200.70,03750,7371650,770,150,9221300,80,31,153050,830,751,5873800,851,051,9104800,861,52,36155600,872,253,12
За наскрізний характеристики визначаємо:
I1=560 (mA)=360 (mA)
Звідси випливає:
Задаємо коефіцієнт асиметрії плечей який дорівнює Х=0.5, тоді коефіцієнт нелінійних спотворень по другій гармоніці:
рис.3 Наскрізна характеристика
З урахуванням ООС:
Коефіцієнт передачі для предоконечного каскаду:
. РОЗРАХУНОК предоконечного каскаду
Визначаємо опір резистора Rк.
R3=Rк »(0.2? 0.3) Rвих=0.25 * 246» 62 (Ом), де Rвих=Rвх.ок.
Визначаємо опір резистора R е.
е=R4=0.5 * Rк=0.5 * 62=33 (Ом)
Визначаємо статичний і динамічний струми
На підставі цих даних вибираємо транзистор КТ610А.
екmax=20 (В) Iкmax=300 (mA)
На сімействі вихідних характеристик будуємо статичну навантажувальну пряму.
Рис.4 С...
