>
де - нелінійний ділянку ВАХ транзистора (1 ... 2В)
Постійна розсіює потужність транзистора
Напруга джерела живлення
Знаходимо напруга на опорі Rк
Отже
Підбираємо напруга джерела живлення під рекомендований ряд напруг, змінивши напруга на опорі R е
Отримуємо напруга джерела живлення рівне 24 вольт.
2.3 Розрахунок еквівалентних параметрів транзистора
Розрахуємо ємність колектора при заданій напрузі
Об'ємне опір бази
де
- постійна часу ланцюга зворотного зв'язку транзистора на ВЧ, - ємність колектора.
Опір емітера
Струм емітера
Струм бази
Звідси знаходимо струм емітера, і потім опір емітера
Дифузійна ємність емітера
За параметрами еквівалентної схеми БТ визначимо його низькочастотні значення вхідної провідності g і крутизни S0
2.4 Розрахунок ланцюгів живлення і термостабілізациі
Визначимо потенціал бази
Визначимо струм дільника, утвореного резисторами R б1 і R б2
Визначимо номінали резисторів R е + R oc, R б1, R б2
Розрахуємо термонестабільность каскаду.
Тепловий опір перехід-середу
де - максимальна температура колекторного переходу, - максимальна температура навколишнього середовища.
Температура колекторного переходу
Різниця між температурою переходу і довідковим значенням температури
Прирощення напруги база-емітер
де - температурний коефіцієнт напруги
Прирощення струму колектора спокою, викликане в результаті зсуву прохідний характеристики транзистора
Прирощення зворотного струму колектора
де - коефіцієнт показника для кремнієвого транзистора
Прирощення струму колектора, викликане зміною зворотного струму колектора
Прирощення коефіцієнта передачі
де
Прирощення струму колектора, викликане зміною H 21Е
Врахуємо вплив параметрів схеми термостабілізації через коефіцієнти термостабілізації
Знайдемо R12
Тепер знайдемо ST2
Визначимо загальний догляд струму з урахуванням схеми термостабілізації
Так як менше обраного запасу струму колектора, рівного, отже, розрахована схема термостабілізації оптимальна.
2.5 Розрахунок основних характеристик вихідного каскаду
Коефіцієнт посилення каскаду на середніх частотах (СЧ)
Необхідне значення постійної часу в області ВЧ
де - Частка частотних спотворень (у відносних одиницях), розподілених на каскад, - верхня гранична частота УУ.
Очікуване значення постійної часу в області ВЧ
Де
- гранична частота підсилення транзистора, - ємність навантаження (у даному випадку ємність монтажу в пФ).
Так як очікуване значення менше необхідного, отже, очікувані спотворення будуть не більше заданих.
Введемо в каскад ООС, це дозволить ще більш зменшити ВЧ спотворення.
Приймемо глибину зворотного зв'язку А=3, тоді
Визначимо R ос з формули:
де - опір зворотного зв'язку.
Тоді опір R е
Тепер визначимо постійну часу на ВЧ з урахуванням дії зворотного зв'язку
Визначимо вхідні параметри транзистора
Вхідний опір транзистора з ОЕ
Вхідний опір каскаду
Вхідна динамічна ємність каскаду
Відносний коефіцієнт посилення в області ВЧ
Тоді коефіцієнт спотворень каскаду в області ВЧ
3. Розрахунок попередніх каскадів
3.1 Розрахунок проміжного каскаду з ОК
Так як вхідна ємність кінцевого каскаду досить висока, то для зменшення її впливу на MB пром...
