n="justify">
2. При односмуговою амплітудної модуляції:
з придушенням однієї бічної смуги (АЗН і АЗА)
4. Вибір типу транзисторів
Основні параметри транзисторів і їх залежність від частоти і режиму
При розрахунку високочастотних схем радіоприймальних пристроїв найбільш зручною є система Y-параметрів.
- постійна часу входу транзистора один з найважливіших параметрів, фізично представляє собою постійну часу ланцюга, утворену розподіленим опором бази, проводимостями і, а також статичними ємностями переходів і дифузійної ємністю).
Параметр може бути представлений виразом
(3)
, (4)
де - гранична частота по крутизні S.
У формулах залежним від частоти є тільки загальний коефіцієнт, де - робоча частота. Тому залежність параметрів транзисторів від величини коефіцієнта буде характеризувати їх залежність від частоти. Аналіз графіків дозволяє виділити три характерні області.
Перша область
У цій області і параметри S, Свх, Свих від частоти практично не залежать, a залежать дуже слабо. При цьому всі параметри мають самі найкращі значення для їх використання у високочастотних трактах радіоприймальних пристроїв.
Друга область
У цій області і всі параметри сильно залежать від частоти.
Третя область
У цій області і всі параметри транзисторів також практично слабо залежать від частоти, однак вони мають найгірші значення, і використання транзисторів для роботи в цій області небажано.
З наведених міркувань видно, що коефіцієнт, який можна назвати коефіцієнтом частотного використання транзистора, повністю характеризує залежність параметрів транзистора від частоти.
Виходячи з заданого діапазону частот, необхідно для високочастотного тракту проектованого приймача вибирати транзистори з таким значенням, при якому для заданого діапазону частот. За відсутності відповідних транзисторів допустима робота при, однак необхідно прагнути, щоб на самій верхній частоті діапазону було якомога менше. Робота при не має практичного сенсу. З придатною для практичних розрахунків точністю частотні межі застосовності обраних транзисторів можна визначити по номограмі рис. 1, де по вертикальній осі відкладена у логарифмічному масштабі постійна часу входу транзистора, а на горизонтальній осі - робоча частота. Для всіх значень і, точка перетину яких перебуває лівіше лінії (область /) ,. Для значенні, точки перетину яких знаходяться між лініями і (область //) ,, а для значень, точки перетину яких знаходяться правіше лінії (область ///),
Рис. 1. Номограма для вибору транзисторів
Якщо точки перетину ліній постійної часу входу транзистора і його робочої частоти будуть розташовані в області /, то транзистори на цих частотах мають найкращі високочастотні параметри, практично не залежні від частоти і визначаються за спрощеним формулам. При цьому проектування і розрахунок значно спрощуються.
Якщо точки перетину будуть розташовані в області //, то високочастотні параметри сильно залежать від частоти і можуть бути визначені за повним формулами.
Якщо точки перетину розташовані в області III, то вибрані транзистори непридатні для їх використання в приймачах на даній робочій частоті.
Переклад параметрів, що приводяться в довідниках, в систему Y-параметрів.
Найбільш зручною і вживаною для практичних розрахунків в області високих частот є система Y-параметрів. Однак в заводських паспортних даних на транзистори і в більшості довідників наводяться h-параметри транзисторів для схеми із загальною базою, так як система h-параметрів дуже зручна для їх експериментального вимірювання. Тому виникає необхідність перекладу h-параметрів в систему Y-параметрів.
Фізичний сенс величин в системі h-параметрів:
h11 - вхідний опір транзистора;
h12 - коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі;
h21 - коефіцієнт посилення по струму;
h22 - вихідна провідність транзистора.
Крім h-параметрів, в довідниках наводяться ще наступні додаткові дані:
Ск - ємність колекторного переходу (база-колектор);- Гранична частота посилення по струму в схемі із загальною базою або - гранична частота посилення по струму в схемі з загальним емітером;- Розподілений опір бази на високій частоті або - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку;- Модуль коефіцієнта посилення по струму в схемі з загальним емітером на високій частоті.
Обчислення високочастотних параметрів транзисторів.
Методику розрахунку високочастотних параметрів транзисторів на робочих частотах можна розглянути на практичних прикладах.
Для транзисторів, робота яких передбачається тільки в області/(рис. 1), розрахунок проводиться за спрощеними формулами), а для транз...
