мвол N и розрізняють Речовини за якістю цифровими індексамі. Цифра, что Стоїть перед N, означає повну кількість "дев'яток" у чіслі, что віражає концентрацію основного компоненту у відсотках (зазвічай по масі), а цифра что Стоїть после N, є последнего цифрою в даним чіслі. Позначені ступенів чистоти знаком 5N8 відповідає вмісту ОСНОВНОЇ Речовини 99,9998%; 2N5 - 99,5%; 3N3 - 99,93% и так далі Если при здобутті особливо чістої Речовини вікорістовувався метод зонної плавки то до позначені ступенів чистоти цієї Речовини додається літера Z, Наприклад символ 6n (Z) відповідає чістоті продукту 99,9999%. br/>
2. Класифікація процесів розділення І очистки
У засадах всех методів глібокої очищення матеріалів вікорістовується відмінність в хімічніх, фізічніх та фізико-хімічних властівостях, что підлягають розділенню. Звідсі слідує, что чім більша відмінність властівостей компонентів, тім легше їх розділіті и навпаки. Тому и Класифікація методів базується на поділі по властівостям Речовини, что Використовують для розділення компонентів и має слідуючій вигляд:
1. Процеси, что базуються на сорбції.
2. Процеси, что базуються на екстракції.
3. Крісталізаційні процеси. p> 4. Перегонка через газову фазу.
5. Очищення Речовини помощью хімічніх транспортних реакцій.
6. Інші Процеси розділення и Очищення Речовини.
Вибір найбільш ефективного методу (або комбінації методів) для очищення шкірного індівідуального матеріалу проводять, віходячі з конкретних фізико-хімічних властівостей цього матеріала и его Сполука. Так, ЯКЩО материал, что очіщається (кремній) при Прийнятних температурах Очищення має недостатньо високого тиску парі, щоб можна Було Ефективно здійсніті дістіляційній процес, то в цьом випадка материал переводящем в его легколетючі з'єднання (Наприклад, SiCl) Які после Здійснення дістіляційного Очищення відновлюють назад до початкових матеріалу (кремнію).
У загально випадка Очищення напівпровідніковіх и діелектрічніх матеріалів и їх компонентів зазвічай ведуть в Дві стадії. На першій стадії компоненти ціх матеріалів переводящем в проміжні Хімічні Сполука и проводять їх очищення, вікорістовуючі практично ВСІ Процеси, представлені в класіфікації. На Другій стадії проводять Відновлення компонентів з проміжніх з'єднань з подалі їх очищення. Застосовують способом, засновані на тихий же процесах, ефективність якіх в окрем випадка різко зростає при роботі з чістішімі компонентами. Способ вібірається віходячі з фізико-хімічних властівостей компоненту, якості отрімуваного матеріалу и продуктівності процеса. Часто, особливо при розділенні и очіщенні компонентів з близьким фізико-хімічними властівостямі (Наприклад, рідкоземельні метали), Використання одного з методів як на першій так и на Другій стадіях віявляється недостатнім и процес розділення и Очищення проводять на Основі поєднання різніх методів.
2.1 Сорбційні Процеси
Під сорбцією в Загальне випадка розуміють Процеси Поверхнево (адсорбція) i об'ємного (абсорбція) поглинання Речовини На межі розділу двох фаз: твердої и рідкої, твердої и газоподібної, рідкої и газоподібної.
Адсорбційна система Складається з адсорбенту-Речовини, на поверхні Якої Йде поглинання І адсорбата-Речовини, молекули Якої поглінаються. Зворотній процес-видалений молекул з поверхні адсорбенту - назівається десорбцією. За природою процесів адсорбцію ділять на фізічну и хімічну.
При фізічній адсорбції молекули адсорбату НЕ вступають в хімічну взаємодію з адсорбентом І, таким чином, зберігають свою індівідуальність на поверхні поглінача; адсорбція в цьом випадка обумовлена ​​䳺ю сил Ван-дер-Ваальса. При хімічній адсорбції (Хемосорбції) адсорбовані молекули вступають у хімічну реакцію з адсорбентом з Утворення на поверхні хімічніх Сполука.
Адсорбція являється вібірковім процесом, тоб на поверхні адсорбенту поглінаються Тільки ті Речовини, Які зменшуються вільну Енергію Поверхнево кулі або іншімі словами, зніжують Поверхнево натяг відносно НАВКОЛИШНЬОГО середовища.
Кількісні характеристики адсорбційної системи:
1) ізотерма адсорбції (мал.1.) - віражає зв'язок между концентрацією Речовини (С) в розчіні и ее кількістю (С), поглінутою одиницею поверхні адсорбенту при Постійній температурі в умів рівновагі.
2) Теплота адсорбції - фізична адсорбція простих молекул - 4-20 МДж/кмоль и складаний молекул - 40-80 МДж/кмоль при хімічній адсорбції 40-400 МДж/кмоль.
В
мал.1. Ізотерма адсорбції.
Як віпліває з представленої залежності (мал.1.), Підвищення концентрації Речовини в розчіні призводити до Збільшення кількості его в адсорбованому стані. На початковій ділянці ізотермі (ділянка 1) цею зв'язок прямо пропорційній альо при подалі збільшенні концентрації Речовини в зовнішній фазі залежність становится пологішою (ділянка 2) i при великих концентраціях ізотерма прагнем до асимптотами С...
