Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Блок посилення потужності нелінійного локатора

Реферат Блок посилення потужності нелінійного локатора





/>


















3. Розрахункова частина


3.1 Структурна схема підсилювача.


Знаючи, що каскад із загальним емітером дозволяє отримувати посилення близько 7 дБ, оптимальне число каскадів даного підсилювача дорівнює трьом. Попередньо розподілимо на кожний каскад з 6 дБ. Таким чином, коефіцієнт посилення пристрою складе 18 дБ, з яких 15 дБ необхідні за завданням, а 3 дБ будуть запасом посилення.

Структурна схема, представлена ​​на малюнку 3.1, містить крім підсилюючих каскадів коригувальні ланцюга, джерело сигналу і навантаження.


В 

Малюнок 3.1


3.2 Розподіл лінійних спотворень в

області ВЧ


Розрахунок підсилювача будемо проводити виходячи з того, що викривлення розподілені як 1 дБ на кожен каскад БУМ.


3.3 Розрахунок вихідного каскаду


3.3.1 Вибір робочої точки


Координати робочої точки можна приблизно розрахувати за наступними формулами [1]:

, (3.3.1)

де (3.3.2)

, (3.3.3)

де - початкова напруга нелінійного ділянки вихідних

В 
характеристик транзистора,. Візьмемо


Так як в обраній мною схемою вихідного каскаду опір колектора відсутня, то. Вихідна напруга і вихідний струм транзистора можна розрахувати за формулами:

В 

, (3.3.4)


. (3.3.5)

В 

При підстановці значень, отримуємо . p> Розраховуючи за формулами 3.3.1 та 3.3.3, отримуємо наступні координати робочої точки:

мА, В.

Знайдемо потужність, що розсіюється на колекторі

12.18 Вт


3.3.2 Вибір транзистора


Вибір транзистора здійснюється з урахуванням таких граничних параметрів:

1. граничної частоти підсилення транзистора по струму в схемою з ОЕ

;

2. гранично допустимої напруги колектор-емітер

;

3. гранично допустимого струму колектора

;

4. граничної потужності, що розсіюється на колекторі

.

Цим вимогам повністю відповідає транзистор КТ916А. Його основні технічні характеристики наведені нижче.

Електричні параметри:

1. Гранична частота коефіцієнта передачі струму в схемою з ОЕ МГц;

2. Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку пс;

3. Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕ;

4. Ємність колекторного переходу при В пФ;

5. Індуктивність виведення бази нГн;

6. Індуктивність виведення емітера нГн. p> Граничні експлуатаційні дані:

1. Постійна напруга колектор-емітер В;

2. Постійний струм колектора мА;

3. Температура переходу К.

навантажувальні прямі по змінному та постійному струму для вихідного каскаду представлені на малюнку 3.2. Напруга живлення вибрано рівним 24,36 В.



p> Малюнок 3.2


3.3.3 Розрахунок еквівалентних схем транзистора


Розрахунок схеми Джиаколетто:

Співвідношення для розрахунку підсилюючих каскадів засновані на використанні еквівалентної схеми транзистора, запропонованої Джиаколетто, справедливої вЂ‹вЂ‹для області щодо низьких частот.

Схема моделі представлена ​​на малюнку 3.3. <В 

Малюнок 3.3

Елементи схеми можна розрахувати, знаючи паспортні дані транзистора, за формулами [2]:

Провідність базового виводу:

В 

, (3.3.6)

В 

Де - Ємність колекторного виводу, при напрузі на транзисторі дорівнює 10 В. Значення цієї ємності можна обчислити. Для цього потрібно знати паспортне значення колекторної ємності і значення напруга, при якому знімалася паспортна ємність. Перерахунок здійснюється за формулою:

В 

, (3.3.7)


Ємність колекторного виводу:





Ємність емітерного виведення:

В 

(3.3.8)



(3.3.8)

В 

Провідність:

В 

. (3.3.9)

В 

Провідності і виявляються багато менше провідності навантаження підсилювальних каскадів, в розрахунках вони зазвичай не враховуються.

Провівши розрахунок за формулами 3.3.6 Вё 3.3.9, отримуємо значення елементів схеми:

В В 


пФ

пФ


Розрахунок високочастотної моделі:


Оскільки робочі частоти підсилювача помітно більше частоти, то з еквівалентної схеми можна виключити вхідну ємність, так як вона не впливає на характер вхідного опору транзистора. Індуктивність ж висновків транзистора навпаки робить істотний вплив і тому повинна бути включена в модель. Еквівалентна високочастотна модель представлена ​​на малюнку 3.4. Опис такої моделі можна знайти в [2].

В 

Малюнок 3.4

Параметри еквівалентної схеми розраховуються за наведеними нижче формулами.

Вхідна інд...


Назад | сторінка 2 з 11 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок однокаскадного підсилювача біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Визначення параметрів нелінійності підсилювача апаратури ВЧ зв'язку по ...
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювального каскаду за схемою з загальним емітером на транзи ...
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора