/span> /P 3 , то, спираючись на схему рис.3 , неважко показати, що хвильові опору елементів кільця можуть бути визначені за такими формулами:
,,
Ці розрахункові співвідношення дозволяють швидко розрахувати шлейфним спрямований відгалужувач на резонансній частоті.
Дискретні фазовращателі на комутаційних діодах
Багатопозиційні відбивні фазовращателі часто виконують у вигляді відрізка лінії передачі, шунтуватися в ряді перерізів комутаційними елементами, виконаними на основі pin-діодів (рис. 4)
В
Рис.4. Відбивний фазообертач
Ідеальний комутаційний елемент характеризується парою нормованих опорів і, де К - речовинний параметр якості. У розглянутій схемі отражательного фазовращателя один з комутаційних елементів з низьким опором () "закорачівает" лінію передачі, а інші елементи мають високі опору (). Вони роблять слабкий вплив на фазу коефіцієнта відбиття. При перемиканні комутаційних елементів фаза коефіцієнта відбиття на вході отражательного фазовращателя змінюється дискретно. p> Прохідні фазовращателі повинні забезпечувати задану різницю фаз минулої хвилі за двох умов: узгодження входів і мінімальне внесене згасання.
В
Рис.5. Фазовращатель на комутованих лініях передачі
Одним з варіантів таких пристроїв є прохідною діодний фазообертач на перемикаються відрізках лінії передачі (Рис.5.) Зміна фази коефіцієнта передачі, де - хвильове число, відбувається в результаті зміни шляху проходження хвилі по лінії або по лінії, здійснюваного pin - діодними перемикачами. Внесене ослаблення L в такому фазовращателе при параметрі якості К> 100 слабо залежить від. Фазовращателі на з'єднаннях відрізках ліній не раціонально використовувати при малих () фазових зрушеннях. p align="justify"> Завдання 1
Еквівалентна схема пристрою
В
Вихідні дані
F0 = 3ГГц, Zв0 = 75Ом, Zв1 = 53,17 Ом,,,,.
Результати розрахунків
0.1250.1880.25 0.0630.1250.188 0.1880.250.313 111 (град) -180 0 126 0 70 0 В
Залежність фази коефіцієнта S11 від.
Висновки
Залишаючи незмінним параметр d і змінюючи параметр l можна варіювати фазу коефіцієнта відбиття S 11 при цьому амплітуда його буде постійною і рівною 1.
Завдання 2
Еквівалентна схема пристрою
В
Вихідні дані і попередні розрахунки
,
,
В
0 = 4ГГц, fн = 3280МГц, fв = 4720МГц,
Діод відкритий: С = 0,01 пФ, R = 4Ом
Діод закрито: С = 0,18 пФ, R = 11Ом
Результати розрахунків
Відкрита лінія
f (МГц) 32803424356837123856400041444488423245764720 0,870,850,840,830,820,820,810,80,790,780,77 L (дБ) -1,21-1,41-1,51-1,62-1,72 - 1,72-1,83-1,94-2,05-2,16-2,27 (град) -34,2-35,6-36,9 -38,2-39,5-40,8-42,1-43,4-44,6-45,8-47,0
В
В
В
Відкрита лінія
f (МГц) 32803424356837123856400041444288443245764720 0,830,820,820,810,80,80,790,780,770,760,75 L (дБ) -1,62-1,72-1,72-1,83-1, 94-1,94-2,05-2,16-2,27-2,38-2,5 (град) -36,9-38,3-39 ,8-41 ,2-42 ,6-44 ,0-45 ,4-46 ,8-48 ,2-49 ,5-50, 9
В
В
В
Висновки
Неідеальність pin-діодів робить сильний вплив на характеристики фазовращателя. Пристрій чутливо до зміни частоти, тобто Не є широкосмуговим. br/>
