іодним структури (кремнієві, селенові, германієві, арсенід-галієві діоди та ін.)
За типом конструкції розрізняють точкові і площинні напівпровідникові діоди. Точковий діод - це прилад, в якому розміри електричного переходу менше розмірів областей, що оточують його і визначають фізичні процеси в переході. Такий перехід виникає, наприклад, при вплавлення кінчика металевої голки в напівпровідникову пластину з одночасною присадкою легуючого речовини. br/>В
Площинною діод являє собою прилад, в якому р-n перехід виникає на значній за площею (до 1000 мкм2 в силових випрямних діодах) кордоні між напівпровідниками р-і n-типів. У таких діодах перехід виходить методом сплавлення напівпровідникових пластин p-і n-типів або дифузії у вихідну напівпровідникову пластину домішкових атомів. p> До особливого різновиду площинних діодів відносяться напівпровідникові стабілітрони, які застосовуються для стабілізації напруги в електричних ланцюгах. У цих діодах використовується явище неруйнівного електричного пробою р-n-переходу при певних значеннях зворотної напруги (рис.3). Значення напруги неруйнівного пробою визначається конструкцією pn-переходу і електрофізичними властивостями напівпровідника. p align="justify"> Вимоги безпеки праці
Не вмикати лабораторний стенд без перевірки викладачем схеми з'єднань. При перемиканні вимірювальних приладів в ході роботи вимкнути тумблер МЕРЕЖА. p align="justify"> Порядок виконання роботи
. Зняти вольт-амперну характеристику напівпровідникових діодів. Для зняття прямих ВАХ використовується схема на рис. 4, для зняття зворотної ВАХ - схема на рис. 5. br/>В
а) отримати пряму ВАХ. Для цього:
В· підключити АВМ1 до РА1;
В· підключити АВМ2 до РU1;
В· підключити G1 до ГТ на блоці живлення, дотримуючись полярності;
В· включити тумблер МЕРЕЖА.
В· зняти залежність напруги від струму на діод від 0 до 1 мА, змінюючи його регулятором ГТ через 0,2 мА, і від 1 до 5 мА через 1 мА. Результати вимірювань занести в таблицю, розроблену самостійно.
б) Отримати зворотній ВАХ діодів і стабілітрона. Для цього:
В· в якості G2 використовувати Гн2;
В· РА2 підключити до АВО на межі вимірювань 10 мкА;
В· при дослідженні стабілітрона в якості вимірювача струму використовувати АВМ1 на межі 50 мА;
В· напруга на діод міняти Гн2 від 0 до 10 В через 2 В.
Примітка: для зняття зворотної ВАХ стабілітрона змінювати напругу регулятором до виникнення струму пробою, після чого змінювати струм пробою через 5 мА до 35 мА. Дані занести в таблицю, розроблену самостійно. p align="justify">. Вимкнути тумблер В«МЕРЕЖАВ». p align="justify"> Обробка результатів вимірювань
. Для кожного діода побудувати за експериментальними даними пряму і зворотну ВАХ. p align="justify">. Обчислити за експериментальними характеристиками:
пряме і зворотне опору діода по постійному струму;
пряме і зворотне диференціальне опору;
диференціальне опір стабілітрона в області стабілізації.
Точки для визначення опорів вибрати самостійно.
Контрольні запитання
1. Як позначається в схемі випрямний діод і стабілітрон?
2. Перерахувати основні параметри діодів.
. Принцип роботи напівпровідникових випрямних діодів.
. Види пробоїв pn-переходу і їх використання.
. Якими видами ємностей володіє р-n-перехід?
. Маркування діодів.
Лабораторна робота 2
ДОСЛІДЖЕННЯ БІПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Мета роботи: вивчення статичних характеристик і параметрів біполярного площинного транзистора в схемі з загальним емітером (ОЕ).
Устаткування та приладдя: лабораторний стенд, транзистор МП40, з'єднувальні дроти.
Основні теоретичні відомості
Біполярний транзистор - це трьохелектродний напівпровідниковий прилад з двома взаємодіючими електронно-дірковий переходами. Залежно ві...
