пи, таких, як фосфор, миш'як, сурма. p align="justify"> При створенні електронних приладів на основі кремнію задіюється переважно приповерхневих шар матеріалу (до десятків мікрон),
тому якість поверхні кристала може робити істотний вплив на електрофізичні властивості кремнію і, відповідно, на властивості готового приладу. При створенні деяких приладів використовуються прийоми, пов'язані з модифікацією поверхні, наприклад, обробка поверхні кремнію різними хімічними агентами. p align="justify"> Параметри кремнію:
Діелектрична проникність: 12
Рухливість електронів: 1200-1450 см ВІ/ (В В· c).
Рухливість дірок: 500 см ВІ/( У В· c).
Ширина забороненої зони 1,205-2,84 Г— 10? 4 В· T
Тривалість життя електрона: 5 нс - 10 мс
Довжина вільного пробігу електрона: близько 0,1 см
Довжина вільного пробігу дірки: порядку 0,02 - 0,06 см
В
Кремній в напівпровідникових приладах застосовується порівняно давно. Ще на початку XX ст. були описані детектори, що працюють на основі точкових контактів кремній - метал і кремній - вуглець. У першій половині 40-х років виготовлені кремнієві діоди, спочатку 50-х створений кремнієвий транзистор, а в першій половині 60-х - інтегральні схеми.верхчістий кремній переважно використовується для виробництва одиночних електронних приладів (нелінійні пасивні елементи електричних схем) і однокристальних мікросхем. Чистий кремній, відходи надчистого кремнію, очищений металургійний кремній у вигляді кристалічного кремнію є основним сировинним матеріалом для сонячної енергетики. Монокристалічний кремній - крім електроніки та сонячної енергетики використовується для виготовлення дзеркал газових лазерів. br/>
2. Ширина забороненої зони
Ширина забороненої зони - це ширина енергетичного зазору між дном зони провідності і стелею валентної зони, в якому відсутні дозволені стану для електрона.
Величина ширини забороненої зони має важливе значення при генерації світла в світлодіодах і напівпровідникових лазерах, оскільки саме вона визначає енергію випускаються фотонів. Для виготовлення світлодіодів та лазерів використовуються прямозоні напівпровідники. У прямозоні напівпровідниках екстремуми зон знаходяться при одному і тому ж значенні хвильового вектора, і генерація світла відбувається з більшою ймовірністю. У непрямозонних напівпровідниках стеля валентної зони і дно зони провідності рознесені в просторі хвильових векторів, для виконання закону збереження імпульсу потрібно ще віддати Богові фонон з великим квазіімпульсом, і тому ймовірність випромінювальної рекомб...
