від 0.5 до 2 кОм. Задамося значенням вхідного опору 1 кОм. p align="justify">
2. Вибір і обгрунтування структурної схеми підсилювача. Розрахунок кількості каскадів, площі посилення Переймаючись коефіцієнтом запасу КЗ = 1.5, визначаємо розрахунковий коефіцієнт підсилення:
В
Необхідна кількість каскадів при Km = 40 виявляється рівним 3
В
Т. е. N? 3
Визначимо вимоги до окремих каскадах:
а) коефіцієнт посилення каскаду:
В
б) коефіцієнт частотних спотворень на нижніх частотах:
Дб
в) коефіцієнт частотних спотворень на верхніх частотах:
Дб
г) нестабільність посилення в кожному каскаді:
В
Визначаємо необхідну площу підсилення кожного каскаду. Глибина зворотного зв'язку, необхідна для отримання заданого посилення:
В
З графіка (рис. 2) за заданою кривою 2 знаходимо програш в площі посилення в порівнянні з простою паралельної корекцією. p> Виграш, що забезпечується простий паралельної корекцією при заданих частотних спотвореннях на високих частотах МВI, визначимо з графіка (рис. 1). Значення задамо на рівні 0.9
В
Рисунок 1 - Втрати площі підсилення при емітерний корекції в порівнянні з простою корекцією
В
Рисунок 2 - Виграш площі посилення при простій паралельної корекції
Остаточно виграш в площі підсилення при емітерний корекції:
В
Розрахуємо необхідну верхню граничну частоту кожного каскаду:
В
Для необхідної площі посилення тепер можна отримати:
В
Така площа посилення може бути забезпечена підсилювальної секцією ОЕ-ПРО із застосуванням корекції емітерної протівосвязью. Як підсилювального елемента доцільно використовувати ІС К265УВ6. p> 3. Розрахунок вихідного каскаду
Номінали елементів ІС К265УВ6 і деякі параметри транзистора КТ331Б, необхідні для розрахунків:
R1 = 6200 Ом,? min = 40, СК = 5 пФ,
R2 = 620 Ом,? max = 120, СЕ = 8 пФ,
R3 = 3000 Ом,? К = 0,82 В,? ОС = 120 пс,
R4 = 100 Ом,? = 1,5,? r = 0,
R5 = 84 Ом, RК = 300 кОм,
fгр = 250 МГц.
3.1 Розрахунок вихідного каскаду
В В В
Мінімально можливий опір навантаження визначається з нерівності:
В
В умовах запропонованого технічного завдання доцільно прийняти RК = 1000 Ом. RК беремо по ряду Е24. При цьому необхідно додатковий опір рівне 330 Ом:
В
де опір 670 Ом вже наявне в мікросхемі.
Для розрахунку мінімально допустимого колекторного напруги попередньо задамося Uост = 2 В - залишкова напруга на транзисторі, UЕ2 = 0.6 В - напруга на емітер транзистора, включеного із загальною базою. Для напруги живлення отримаємо:
В В
Напруга живлення беремо 12,6 В
