stify">: CaF 2 є ізотропним [3].
Метою цієї роботи було дослідження спектральних властивостей кристала Tm: CaF 2 , а також визначення можливості отримання генерації на кристалі Tm : CaF 2 в області 2 мкм в схемах лазерів з поздовжньою діодним накачуванням.
1. Фізичні властивості кристала
Гідність кристала Tm: CaF2 у високій прозорості в ультрафіолетовій і далекою інфрачервоної спектральних областях (від 0.15 до 9 мкм). Крім того, за допомогою стандартних методів, таких як метод Бріджман - Стокбаргера, досить легко виростити кристали відмінного оптичної якості і великих розмірів. Кубічна структура решітки CaF 2 добре підходить для створення підкладок для тонкопленочной епітаксії. Це стосується для отримання високоякісних оптоволокон. Раніше для вирощування тонких плівок CaF 2 допованих рідкоземельними іонами на підкладках CaF 2 використовувалася молекулярно пучкова епітаксії (MBE). Крім того, допирования CaF 2 тривалентними рідкоземельними іонами призводить до широкої лінії поглинання, придатної для накачування лазерами діодами з термоелектричним контролем і широкою лінією випромінювання, що дає перевагу в тому, що можна отримати перебудовується лазер в широкому діапазоні і короткоімпульсних лазери [3].
У даній роботі було проведено дослідження лазерного кристала Tm: CaF 2 , який є дуже перспективним завдяки своїм спектральним та фізичним характеристикам: кристал ізотропний, має високий коефіцієнт теплопровідності, а високий коефіцієнт теплового розширення компенсується негативним коефіцієнтом температурного зміни показника заломлення.
У таблиці 2.1 представлені фізичні властивості широко використовуваних кристалів Tm 3 + : YAG, Tm 3 + : YLF і досліджуваного Tm: CaF 2 .
СвойстваYLFYAGCaF 2 Хімічна формула крісталлаYLiF 4 Y 3 Al 5 O 12 CaF 2 ...
