и, а середній pn-перехід - колекторним. Внутрішні області структури, що лежать між переходами, називаються базами. Електрод, що забезпечує електричний зв'язок із зовнішнім n-областю, називається катодом, а із зовнішнього p-областю - анодом. br/>В
На відміну від несиметричних тиристорів (діністоров, тріністоров) в симетричних тиристорах зворотна гілка ВАХ має вигляд прямої гілки. Це досягається зустрічно-паралельним включенням двох однакових чотиришарових структур або застосуванням п'ятишарових структур з чотирма pn-переходами (сімістори). br/>
Рис. 1.1.1 Позначення на схемах: а) симистора б) динистора в) тринистора. br/>В
Рис. 1.1.2 Структура динистора. br/>В
Рис. 1.1.3 Структура тринистора. br/>
2. Принцип дії
В
Рис. 1.2.1. Схема включення в ланцюг некерованого тиристора (динистора). br/>
При включенні динистора за схемою, наведеною на рис. 1.2.1, колекторний pn-перехід закритий, а емітерний переходи відкриті. Опору відкритих переходів малі, тому майже всі напруга джерела живлення докладено до колекторного переходу, що має високий опір. У цьому випадку через тиристор протікає малий струм (ділянка 1 на рис. 1.2.3). br/>В
Рис. 1.2.2. Схема включення в ланцюг керованого тиристора (тринистора). br/>В
Ріс.1.2.3. Вольтамперная характеристика динистора. p align="justify"> Рис.1.2.4. Вольтамперная характеристика тиристора. br/>
Якщо збільшувати напругу джерела живлення, струм тиристора збільшується незначно, поки це напругу не наблизиться до деякого критичного значення, рівному напрузі включення Uвкл. При напрузі Uвкл в динисторе створюються умови для лавинного розмноження носіїв заряду в області колекторного переходу. Відбувається зворотній електричний пробій колекторного переходу (ділянка 2 на рис. 1.2.3). У n-області колекторного переходу утворюється надлишкова концентрація електронів, а в p-області - надлишкова концентрація дірок. Із збільшенням цих концентрацій знижуються потенційні бар'єри всіх переходів динистора. Зростає інжекція носіїв через емітерний переходи. Процес носить лавиноподібний характер і супроводжується перемиканням колекторного переходу у відкритий стан. Зростання струму відбувається одночасно зі зменшенням опорів всіх областей приладу. Тому збільшення струму через прилад супроводжується зменшенням напруги між анодом і катодом. На ВАХ цю ділянку позначений цифрою 3. Тут прилад має негативним диференціальним опором. Напруга на резисторі зростає і відбувається перемикання динистора. p align="justify"> Після переходу колекторного переходу у відкритий стан ВАХ має вигляд, відповідний прямий галузі діода (ділянка 4). Після перемикання напруга на динисторе знижується до 1 В. Якщо і далі збільшувати напругу джерела живлення або зменшувати опір резистора R, то буде спостерігатися зростан...
