елемент - дві-три цифри, присвоєні даної серії як порядковий номер розробки. Таким чином, перші два елементи складають три-чотири цифри, визначають повний номер серії мікросхеми. Третій елемент - дві букви, відповідні підгрупі і виду (табл. 6.1). Четвертий елемент - порядковий номер розробки мікросхеми в даній серії, в якій може бути кілька однакових за функціональною ознакою мікросхем. Він може складатися як з однієї цифри, так і з декількох.
Як приклад розглянемо умовне позначення напівпровідникової мікросхеми серії 1554ІР22. З умовного позначення випливає, що ця мікросхема - регістр з порядковим номером 554 та номером розробки мікросхеми в даній серії за функціональною ознакою 22 виконана за напівпровідникової технології.
В
Таблиця 1
В
В
Приклад умовного позначення напівпровідникової мікросхеми: позначення - ИЕ (лічильник) з порядковим номером серії 554 і номером розробки мікросхеми в даній серії за функціональною ознакою 7. Повне позначення мікросхеми 1554ІЕ7. br/>В
Останнім час при чотиризначному номері серії першу цифру порядкового номера серії встановлюють залежно від функціонального призначення мікросхем, що входять до серію. Наприклад, цифра 0 визначає, що дана серія мікросхем призначена для роботи у складі побутової радіоелектронної апаратури. Цифра 1 ставиться на аналогових мікросхемах, цифра 4 - мікросхемам ОУ, цифра 5 - цифровим мікросхемам, цифра 6 - серії мікросхем пам'яті, цифра 8 - серіям МП.
Якщо наприкінці умовного позначення стоїть буква, то вона визначає технологічний розкид електричних параметрів даного тіпономінала.
На мікросхемах, що використовуються в пристроях широкого застосування, на початку позначення ставиться буква К, наприклад: К1533ІР22.
Для характеристики матеріалу і типу корпусу перед цифровим позначенням серії можуть бути додані наступні літери: Р - пластмасовий корпус типу ДІП; М - металокерамічний корпус типу ДІП і т.д.
Основні електричні параметри мікросхем
Цифрові мікросхеми розвивалися в такій послідовності: резистивно-транзисторна логіка (РТЛ), діод-транзисторна логіка (ДТЛ), транзисторних-транзисторна логіка (ТТЛ), емітерний-пов'язана логіка (ЕСЛ), транзисторних-транзисторна логіка з діодами Шотки (ТТЛШ), інтегрально-інжекційний логіка (І 2 Л). У цих визначеннях слово "логіка" має на увазі поняття "електронний ключ". p> Всі перераховані вище логічні мікросхеми виконані на базі біполярних транзисторів. Поряд з ними широкого поширення набули цифрові мікросхеми на МОП - структурах (на транзисторах p-і n-типів із збагаченим каналом, КМОП - схеми на доповнюючих транзисторах). Серії РТЛ, РЕТЛ промисловістю в даний час не випускаються, але ще використовуються тільки для комплектації серійної РЕА. Найбільш широке поширення в сучасній апаратурі отримали серії мікросхем ТТЛШ, ЕСЛ та схеми на КМОП-структурах, так як вони відрізняються більш високим рівнем інтеграції і володіють великим функціональним різноманітністю.
Можна виділити три етапи розвитку мікросхем, що входять до складу стандартних серій для створення цифрових пристроїв різного призначення.
I етап (1969 - 1975 рр..). До складу стандартних серій входили мікросхеми малого ступеня інтеграції, що виконують найпростіші логічні функції, наприклад серія К155.
II етап (1976 - 1980 рр..). З'явилися серії з поліпшеними характеристиками, такі як 531, 555, 500, К561, К1561 та інші, що призвело до обмеженого застосування серій 131, 158, 137, 187. p> III етап (1981 - 1987 рр..). Розробка мікросхем великої ступеня інтеграції, мікропроцесорних комплектів, запам'ятовуючих пристроїв, полузаказних БІС на основі матричних кристалів.
Параметри мікросхем конкретної серії в основному визначаються параметрами базових елементів логіки. До основних параметрів відносяться: швидкодія; споживана потужність (Р піт ); завадостійкість U пом ; коефіцієнт розгалуження по виходу (навантажувальна здатність) До раз ; коефіцієнт об'єднання по входу До про . Швидкодія визначається динамічними параметрами цифрових мікросхем, до яких відносяться: t 1,0 - час переходу сигналу на виході мікросхеми зі стану логічного "1" у стан логічного "0"; t 0,1 -час переходу зі стану низького рівня в стан високого рівня; t 1,0 Здр - час затримки розповсюдження при включенні; t 1,0 зд -час затримки включення; t 0,1 Здр - час затримки поширення при виключенні; t 0,1 зд - час затримки вимкнення; t здрср - середній час затримки поширення сигналу; f р - робоча частота. Середній час затримки поширення t едрср = 0,5 (t 1,0 Здр + T 0,1 Здр ) є усередненим параметром швидкодії мікросхеми, використову...
