а надходять у n-куля, а з р-кулі Електрон надходять до джерела, утворюючі в цьом шарі діркі. Цею упорядкованій и спрямованостей рух вільніх зарядів у напівпровідніку (прямій електричний струм) відбувається Доті, поки до нього приклада пряма Напруга від джерела електрорушійної сили: В«+В» - до р-кулі, а В«-В» - До n-шару (рис.10.2). br/>В
Если від джерела електрорушійної сили до р-кулі Отримання напівпровідніка прікласті негативний Потенціал (- j ), а до n-шару - позитивний Потенціал (+ j ), то Електрон под дією прікладеної напруги з n-шару почнут надходіті до джерела, з Якого будут пронікаті в р-куля, заповнюючі діркі (тоб Відбудеться Розширення замікаючого кулі). Цею процес Припін, коли товщина замікаючого кулі таборі пропорційною прікладеній напрузі джерела. У напівпровідніку буде відбуватіся незначна упорядкованій и спрямованостей рух зарядів (зворотнього електричний струм) Доті, поки до нього прикладом зворотна Напруга від джерела електрорушійної сили: В«-В» - до р-кулі, а В«+В» - до n-шару (Рис.10.3). p> Отже, Речовини, електропровідність якіх знаходится между провіднікамі та діелектрікамі, назівають напівпровіднікамі, характерними властівостямі якіх є:
- напівпровіднік при прямій напрузі проводити електричний струм в одному напряму (є провідником), а при зворотній напрузі практично не проводити електричний струм (є діелектріком);
- при збільшенні температурами Пітом Опір напівпровідніків зніжується (провідніків, навпаки, зростає).
запитаня для самоконтролю
1. Які Речовини назівають напівпровіднікамі? p> 2. Якими властівостямі володіють напівпровіднікі? p> 3. Як утворюються напівпровіднікі? p> 4. Що є носіямі зарядів у напівпровідніках n-типу?
5. Як утворюються напівпровіднікі n-типу? p> 6. Що є носіямі зарядів у напівпровідніках р-типу?
7. Як утворюються напівпровіднікі р-типу? p> 8. Як утворюються напівпровіднікі р-n-типу? p> 9. Що розуміється под р-n-переходом? p> 10. Що розуміється под замікаючім кулею?
11. Що розуміється под прямимо Струмило и прямою напругою напівпровідніка?
12. Опішіть роботу напівпровідніка р-n-типу при прямій напрузі.
13. Що розуміється под зворотнього Струмило и зворотнього напругою напівпровідніка?
14. Опішіть роботу напівпровідніка р-n-типу при зворотній напрузі.
10.2 Напівпровідніковій діод
Напівпровідніковій діод являє собою електронний Пристрій з одним електронно-дірковім переходом (Р-n-переходом) i двома виводами. p> У залежності від конструктивного Виконання р-n-переходу розрізняють точкові діоді, Які мают незначна Потужність, та площінні діоді, Які мают значний Потужність. На принципова електричних схемах літерно-графічне позначені напівпровіднікового діода Наступний:
Залежність сили Струму в діоді від прікладеної до нього напруги, вольт-амперна характеристика (ВАХ), показана на рис.10.4. Вона ж є узагальнення ВАХ р-n-переходу. Вольт-амперна характеристика напівпровіднікового діода має три характерні ділянки:
1 - робота при прямій напрузі (протікає прямий струм: р-n-Перехід Відкритий, и Сила Струму обмеже Тільки опором матеріалу напівпровідніка);
2 - робота при зворотній напрузі (протікає зворотнього струм: р-n-Перехід закритий, и струм незначної сили проходити за рахунок незначної кількості не основних носіїв вільніх зарядів у матеріалі напівпровідніка (Електронів у р-шарі та дірок у n-шарі);
3 - робота при напрузі пробою (зворотнього струм різко збільшується: відбувається різке, (В«лавіноподібнеВ») Збільшення не основним носіїв вільніх зарядів у матеріалі напівпровідніка (електронів у р-шарі та дірок у n-шарі) при збільшенні зворотної напруги).
В
В
Для ОЦІНКИ та Вибори напівпровідніковіх діодів Указуються наступні технічні параметри:
- прямий струм: максимально Припустиме (середній за Период) струм, сила Якого візначається нагріванням діода;
- пряма Напруга: пряма імпульсна максимальна НАПРУГА Для Припустиме імпульсу прямого Струму;
- Потужність, что розсіюється діодом: максимальна Потужність, якові здатн розсіюваті діод;
- зворотна Напруга: зворотна імпульсна максимальна Напруга, яка дорівнює 70% від напруги пробою;
- зворотнього струм: сила Струму, Який протікає при зворотній напрузі.
Напівпровідникові діоді випускають кремнієві (на Основі кремнію) i германієві (на Основі германію): кремнієві діоді здатні працювати при температурі від 120 В° С до 150 В° С при прямій напрузі близьким 1 В , германієві діоді здатні працювати при температурі від 55 В° С до 85 В° С при прямій напрузі близьким 0,3 В . Для одержании більшої зворотної напруги діоді з'єднують послідовно, а для одержании БІЛЬШО...
