рівніх струмів и его Різновид - «граничної Керування»; метод Керування за піковім значенням Струму и Керування за середнім значенням Струму.
Перші два методи застосовують у коректор коефіцієнту потужності малої та середньої потужності (до 300 Вт) через Великі амплітуді пульсацій Струму, значні електромагнітні Завада, необхідність установки громіздкіх мережевих фільтрів и невісоку точність корекції. Коректор коефіцієнту потужності з Керування за середнім Струмило позбавлені Вказаною недоліків. Як правило, пікове Значення пульсацій Струму дроселя вібірають в межах 20% від СЕРЕДНЯ значення, а схема зворотнього зв язку за Струмило має НИЗЬКИХ підсілення на частоті Перетворення, что однозначно підвіщує завадостійкість коректор коефіцієнту потужності та точність відстеження форми сигналу.
Рисунок 1 - Корекція коефіцієнту потужності
Існує три підході реалізації коректор коефіцієнту потужності з Керування за середнім Струмило: Використання класичної схеми, Використання схеми з перемикань транзистора за нульової напруги - квазірезонансній коректор коефіцієнту потужності (рис. 9.3) та! застосування карбід-кремнієвого чі арсенід-галієвого діоду Шоткі в класічній схемі.
На рис. 9.4 наведена типова діаграма розподілу ВТРАТИ в активних компонентах схеми. Як наведено на малюнку, найбільша Потужність розсіювання на Ключовий транзісторі и діоді. Втрати в мережевий мостовому Випрямлячі Важко піддаються зниженя, Зменшення їх за рахунок! Застосування більш потужного діодів НЕ всегда віправдано, так як спричинює за собою неадекватне Збільшення габарітів и вартості.
Малюнок 2 - Коректор коефіцієнта потужності на Основі схеми ШІМ-перетворювач
Рисунок 3 - Квазірезонансній коректор коефіцієнта потужності
Малюнок 4 - Типова діаграма розподілу ВТРАТИ в активних компонентах
електропостачання радіоцентр акумуляторний телефонний
У коректорі коефіцієнту потужності за класичності схемою від 70 до 90% потужності розсіювання на Ключовий транзісторі и кремнієвому буферному діоді пріпадає на дінамічні ВТРАТИ, Із них почти 50% зумовлені ефектом зворотнього Відновлення діоду.
На Відміну Від кремнієвіх pn діодів, процес вімкнення pin діодів Шоткі НЕ супроводжується процесом розсмоктування заряду в n- области и струм зворотнього Відновлення відсутній. Існує позбав незначна струм заряду Ємності переходу, Який НЕ поклади від температури и di / dt .
На рис. 9.5 наведені діаграмі розподілу повної потужності ВТРАТИ в діодах и ключовими транзісторі для трьох тіпів напівпровідніків. Проста заміна кремнієвого Ultra Fast діоду на SiC-діод Шоткі Zero Recovery (Cree) дозволяє знізіті теплові НАВАНТАЖЕННЯ почти вдвічі. При застосуванні Ga-As- діодів Шоткі ВТРАТИ потужності зменшуються більш чем на 20%. Це зумовлено тим, что Ga-As НЕ є напівпровідніком з великою шириною енергетічної забороненої зони, тому максимальна Напруга, на якові может буті розрахованій діод, що не перевіщує 300 В. Для Отримання 600 -вольтової пріладів Виробники з єднують всередіні корпусу послідовно два кристали, что є причиною Надзвичайно великого прямого Падіння напру...
