рібно потенціал рівний UБК1 + UБЕ2=0,6 + 0,7=1, ЗВ.
Отже, транзистор VT2 буде закритий. Знаходимо струм It.
1=(E-UA)/R 1=(5-0, 8) /4.*103= 1, 05 мА.
Визначимо величину струму через резистор R2. Розглянемо всі можливі шляхи, по яких може протікати цей струм.
На малюнку 3 виділена частина схеми, за якою може протікати струм, що йде через R2 (струм I2).
Малюнок 3 - Часткова схема для розрахунку струму I2 при комбінації вхідних сигналів 1 110
Так на входах логічне стан «1» емітерний переходи транзистора VT3 закриті струм, I2 протікає через колекторний перехід VT3 і перехід база-емітер транзистора VT4, транзистор VT2 закритий.
Б=UБK + UБЕ=0.6 + 0.7=1,3 В.=(E-UA)/R2=(5-1,3)/5 * 103=0,74 мА.
Через емітерний перехід буде протікати зворотний струм IЕ=I2? i=0,74 * 0,05=0,037мA Транзистор VT4 знаходиться в режимі насичення з цього UКЕ=Uб=0,1 В транзистор VT5 знаходяться в режимі відсічення струм.
=(E-UВ)/R3=(5-0,1)/2 * 103=2,45 mA
Порівняємо струм 164 * В і 13 1б4 * В=0,74 * 50=37 мА.
Так як Iб4.B gt; 13, то дійсно транзистор VT4 знаходиться в режимі насичення, отже, транзистор VT5 закритий струм колектора дорівнюють нулю. При цьому через резистор R4 протікає тільки вхідний струм логічного елемента навантаження, рівний за умовою I4=0,04 мА. Тоді напруга на виході буде одно UBих=E- I4 * R4=5 - 0,04 * 10-3 * 500=4,98 В.
Отримане напруга U вих близько до напруги харчування і відповідає рівню логічної одиниці.
Розрахунок для комбінації вхідних сигналів тисячу один .
Визначимо величину струму через резистор R1 і R2.
На малюнку 4 виділено частину схеми, за якою може протікати струм, що йде через R1 (струм I1) і R2 (струм I2).
Малюнок 4 - Часткова схема для розрахунку струму I1I2 при комбінації вхідних сигналів «1001»
Так на входах Вх2 і Вх4 логічні нулі струми I1 і I2 протікають через переходи Б-Е транзисторів VTI і VT3 відповідно при цьому потенціали баз і величина струмів рівні
Б=UБК + UБЕ=О, 1 + 0,7=0,8 В.
I1=(E - UБ)/R1=(5-0,8)/4 * 10? =1,05 мА=(E - UБ)/R2=(5-0,8)/5 * 10? =0,84 мА
Зауважимо, що перехід база-емітер Б-Е1 знаходиться під зворотною напругою, так як потенціал бази (р - область) нижче, ніж потенціал емітера (n-області) на величину 0,8-3= - 2,2 В. Тому через цей перехід протікає тільки зворотний струм. Струм правої гілки при цьому буде відсутній, так як для того щоб він протікав у точці А потрібно потенціал рівний
БК4 + UБЕ5=0,6 + 0,7=1,3 В.
Отже, транзистори VT2 і VT4 будуть закриті. Знаходимо струм I3. Припустимо, що транзистор VT5 знаходитися в режимі насичення тоді
=(E-U65)/R3=(5-0,7)/2 * 103=2,15 мА.
За умовою напруга відкритого транзистора UКЕ5=0,1 В, тоді
=(E-UKЕ5)/R4=(5-0, l)/500=9,8 мА
Струм бази транзистора
1б5=13 + I3? i=2,15 +2,15 * 0,05=2,257мА
Порівняємо струми 1б5 * В і Ik5 1б5 * В=2,257 * 50=112,857 мА.
Так як Iб5 * B gt; Ik5, то дійсно транзистор VT5 знаходиться в режимі насичення. Низька напруга на колекторі транзистора VT5 відповідає логічному 0 на виході схеми.
Малюнок 5
Так на входах ВХЗ і вх4 логічні «1» емітерний переходи транзистора VT1 закриті струм, I1 протікає через колекторний перехід VT1 і перехід база-емітер транзистора VT2, транзистор VT4 закритий.
А=UБК + UБЕ=0,6 + 0,7=1,3 В.=(Е- UБ)/R1=(5-1,3)/4 * 103=0,925 мА
Так на вході Вх2 логічний нуль струм I2 протікають через переходи Б-Е транзистора VT3 відповідно при цьому потенціали баз і величина струмів рівні.
Б=UБK + UБЕ=0,1 + 0,7=0,8 В.=(E- UБ)/R2=(5-0,8)/5 * 103=0, 84 мА
Отже транзистор VT4 буде закритий. Знаходимо струм 13. Припустимо що транзистор VT5 знаходитися в режимі насичення тоді I3=(E-U65)/R3=(5-0,7)/2 * 103=2,15 мА. Пo умові напруга відкритого транзистора UКЕ5=0,1 В, тоді
=(E-UKЕ5)/R4=(5-0,1)/500=9,8 мА
Струм бази транзистора
1б5=13 + I3? i=2,15 +2,15 * 0,05=2,257мА
Порівняємо струми Iб5 і Ik5 1б5.В=2,257 * .50=112,857 мА.
Так як 1б5.В ...
