характеристику (ВАХ), сходжу на характеристику симетричного стабілітрона. Година Реакції металооксидних варісторів складає НЕ больше 25 нс (для Виконання SMD (Поверхнево монтажу) технології около одініці наносекунд). Варистор повінні мати Такі Параметри:
швидку реакцію на перенапругу, что запобігає сплесков напруги;
широкий ДІАПАЗОН градацій напруг;
Великі Допустимі Струмило перевантаження сотні, тісячі ампер;
Енергію розсіювання - одініці, десятки джоулів.
мікросхеми
Для ЗАСОБІВ вторинно електроживлення, Виконання за сучасности структурну схему, вінікла Нагально потреба впровадіті Спеціалізовані мікросхеми Керування (dirivers) інверторамі, ключовими (імпульснімі) стабілізаторамі захисту, допоміжного обслуговування ТОЩО. Деякі віконують Функції Керування та силового кола (Наприклад серія TOPSwitch). Їх вважають великими інтегральнімі схемами (BIC). З метою Керування електромеханічнімі та іншімі силовими Вузли застосовують, так звані, «інтелектуальні BIC». Вдосконалюють такоже інтегральні схеми лінійніх стабілізаторів Із фіксованім або змінюванім значенням віхідної напруги К142ЕН1 (2), ... К142ЕН20,? А7805 (+5 В) и? A7912 (- 12 В) ТОЩО.
Для імпульсніх джерел електроживлення існують СПЕЦІАЛЬНІ мікросхеми: потужні імпульсні стабілізатори, AC-DC та DC-AC конвертори, однотактні та двотактні ШІМ - контролери, коректор коефіцієнта потужності, PFC - Power Factor Corrector перетворювачі ТОЩО. Застосування технології поверхнево монтажу та СУЧАСНИХ матеріалів майданчиків (Товсте плівок, керамічніх гібрідніх матеріалів, ізольованіх металічніх майданчиків IMS), новітніх феритових матеріалів, что Працюють на високих частотах,! Застосування IMS МОП-транзисторів - MOSFET (Metal-Oxіde-Semіconductor Fіeld Effect Transіstor) технології дозволяють збільшити показатели стабілізації, пітому Потужність та Надійність роботи. Так для Формування Економічних та компактних схем Керування малопотужнімі ДВИГУН постійного струм застосовують мікросхеми типу IR3220 (International Rectifier) ??на Основі драйверів (інтелектуальніх ключів) Керування ШІМ. Смороду Забезпечують скроню Надійність роботи внаслідок! Застосування ЕЛЕМЕНТІВ захисту. Інтегральні стабілізатори на Основі двухступінчатої схеми електроживлення та! Застосування регулювальна елемента LDO (Low Drop Out), мают мале (менше 1 В) Падіння напруги на регулювальна транзісторі. Нові комбіновані технології BiMOS (Bipolar Metal-Oxide-Semiconductor) дають можлівість понізіті вхідні та вихідні напруги стабілізаторів до 0,5 ... 1,5 В за НИЗЬКИХ опору каналу, что звітність, для лінійніх джерел електроживлення. Інтеграція ЕЛЕМЕНТІВ дискретного Керування параметрами (технологія Power Flex), незалежної пам'яті и двонапрямленіх послідовніх інтерфейсів у стабілізаторах напруги однозначно розшірює їх функціональні возможности та дозволяє реалізуваті переналаштовувальні, інтелектуальні системи живлення для мобільніх и стаціонарних прістроїв.
Протізавадові Фільтри
Протізавадові Фільтри застосовують для фільтрації паразитних сігналів та прітлумлення електромагнітніх завад (більш докладно див. Розділ 8). ЦІ Фільтри в колах електроживлення Забезпечують Значення згасання 45 ... 50 дБ на частотах десятки, сотні кілогерц, десятки мегагерц и 60 ... 70 дБ на частотах 10 ГГц; за вимоги з...
