Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Моделювання в системі MICRO-CAP вимірювальних перетворювачів на основі датчиків температури

Реферат Моделювання в системі MICRO-CAP вимірювальних перетворювачів на основі датчиків температури





товляється ТПС: Pt

. Тип вихідного сигналу: ток

. Діапазон вихідного сигналу: 0 ... 5 мА

. Клас точності ІП: 0.5%

. Додаткова похибка ІП: не більше 0.125

Даний ІП має можливість підстроювання зміщення і крутизни вихідної характеристики, що говорить про можливість використання елементів з великим процентним допуском розкиду номіналів.

Область застосування даного ІП задоволена широка, він може застосовуватися скрізь, де необхідно вимір температури даного діапазону, з вищеописаною точністю вимірювання.

Список використаної літератури.


ГОСТ 6651-94. Програма моделювання електронних схем MicroCap. Резистори: Довідник. Под ред. І.І. Четверткова і Н.Я. Четверткова - 2-е вид., Перераб. і доп. М.: Радіо і Зв'язок, 1991 р. Цифрові та аналогові інтегральні мікросхеми. Довідник. Под ред. С.В. Якубовського. М. Інтегральні схеми: Операційні підсилювачі. Довідник, том 1. - М.: Фізмат, 1993 р. Пейтон А., Волш В. Аналогова електроніка на операційних підсилювачах. Практичний посібник, пров. з англ., М.: Біном, 1994 р. Гутников В.С. Інтегральна електроніка у вимірювальних пристроях.- 2-е вид., Перераб. і доп.-Л.: Енергоіздат, 1988 г. Хоровіц П., Хілл У. Мистецтво схемотехніки. У 3-х томах. Пер з англ. - М.: Світ, 1993 р. Шило В.Л. Лінійні інтегральні схеми в радіоелектронної апаратури.- 2-е видання, перероб. і доп.- М.: Сов. радіо, 1979 г.

Додаток 1


Перелік елементів

Поз.НаименованиеКол.Примеч.МикросхемыDA1-DA8 OU - 07E8КонденсаториС1К 71-4 169нФ ± 5% 250В1С2К 71-4 681нФ ± 5% 250В1РезісториR1, R2, R3.R4, R6, R7, R26, R29С5- 53Ф - 0,125 - 10кОм ± 0,05% 8R5С5 - 53Ф - 0,125 - 5кОм ± 0,05% 1 R8, R9С5 - 53Ф - 0,125 - 0.988кОм ± 0,05% 2R10, R11С5 - 53Ф - 0,125 - 7.77кОм ± 0,05% 2R12, R18С5 - 53Ф - 0,125 - 100Ом ± 0,05% 2R13С5 - 53Ф - 0,125 - 2кОм ± 0,05% 1R14С5 - 53Ф - 0,125 - 12кОм ± 0,005% 1R15, R16С5 - 54Ф - 0,125 - 665кОм ± 0,01% 2R17, R21С5 - 53B - 0,125 - 1,2 кОм ± 0,05% 2R19С2 - 29B - 0,125 - 330кОм ± 0,1% 1R20С2 - 29B - 0,125 - 657кОм ± 0,1% 1R22СП5 - 40 - 0, 5 - 470Ом ± 10% 1подстроечнийR23С5 - 53B - 0,125 - 1,6 кОм ± 0,05% 1R24СП5 - 40 - 0,5 - 1кОм ± 10% 1подстроечний йR25С2 - 29B - 0,125 - 706Ом ± 0,1% 1R27С5 - 53B - 0,125- 4,02 кОм ± 0,05% 1R28, R32С5 - 53Ф - 0,125 - 200Ом ± 0,05% 2R30, R31С5 - 53Ф - 0,125 - 1кОм ± 0,05% 2


Назад | сторінка 21 з 21





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Цифрові інтегральні мікросхеми
  • Реферат на тему: Схеми управління і обробки вихідного сигналу приладу з зарядовим зв'язк ...
  • Реферат на тему: Інтегральні схеми цифрового прістроїв
  • Реферат на тему: Інтегральні мікросхеми
  • Реферат на тему: Інтегральні мікросхеми